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기판 상에 적어도 2개의 게이트 물질이 적층되어 형성되는 게이트 전극;상기 게이트 전극의 상부에 형성되는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막의 상부에 형성되는 산화물 반도체층; 및상기 산화물 반도체층의 적어도 일부와 각각 연결되는 소오스/드레인 전극이 포함되되,상기 게이트 전극의 상부에는 상기 게이트 전극의 물질 보다 자외선 반사율이 높은 반사구조물을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 반사구조물은 금속, 반도체층, 또는 절연층인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 반사구조물은 서로 다른 굴절률을 갖는 두 반도체 물질층이 교번되게 적층되는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 구조로 이루어진 박막 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 산화물 반도체층은, 불활성 가스 분위기 하에서 코팅된 산화물 용액에 자외선을 조사하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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기판 상에 형성되는 산화물 반도체층;상기 산화물 반도체층의 상부에 순차적으로 형성되는 게이트 절연막과 게이트 전극; 및상기 게이트 전극의 상부에 보호막을 사이에 두고 상기 산화물 반도체층과 각각 연결되는 소오스/드레인 전극이 포함되되,상기 산화물 반도체층의 하부에, 평면적으로 관찰할 때, 상기 산화물 반도체층을 포함하는 구조로 자외선을 반사하기 위한 반사구조물이 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제5 항에 있어서,상기 반사구조물은 금속, 반도체층, 또는 절연층인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제5 항에 있어서,상기 반사구조물은 서로 다른 굴절률을 갖는 두 반도체 물질층이 교번되게 적층되는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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기판 상에 적어도 2개의 게이트 물질이 적층되도록 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극이 형성된 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 산화물 반도체층의 적어도 일부와 각각 연결되도록 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 게이트 전극의 상부에는 상기 게이트 전극의 물질 보다 자외선 반사율이 높은 반사구조물을 구비하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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기판 상에 산화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 산화물 반도체층의 상부에 순차적으로 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 게이트 전극의 상부에 보호막을 사이에 두고 상기 산화물 반도체층과 각각 연결되도록 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 산화물 반도체층의 하부에, 평면적으로 관찰할 때, 상기 산화물 반도체층을 포함하는 구조로 자외선을 반사하기 위한 반사구조물을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제8 항 또는 제9 항에 있어서,상기 반사구조물은 금속, 반도체층, 또는 절연층인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제8 항 또는 제9 항에 있어서,상기 산화물 반도체층은 불활성 가스 분위기 하에서 코팅된 산화물 용액에 자외선을 조사하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제8 항 또는 제9 항에 있어서,상기 반사구조물은 서로 다른 굴절률을 갖는 두 반도체 물질층이 교번되게 적층되는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제11 항에 있어서,상기 불활성 가스 분위기는 별도로 진공 프로세스를 진행하지 않은 대기 상태에서 상기 코팅된 산화물 용액에 상기 불활성 가스가 유입되도록 하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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14
제11 항에 있어서,상기 불활성 가스 분위기는 질소 분위기, 아르곤 분위기, 또는 헬륨 분위기인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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