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오믹 접합을 이용하는 ＦＥＴ 기반 바이오 센서

  • 기술번호 : KST2015146640
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 고감도 FET 기반 바이오 센서는, 기판, 상기 기판 상에 형성되는 절연층, 상기 절연층 상에 일정한 두께로 형성되고, 양측의 소스-드레인 영역, 및 상기 소스-드레인 영역을 연결하는 감지 채널 영역을 포함하는 박막 패턴, 및 상기 소스-드레인 영역 상에 각각 오믹 접합을 형성하는 소스-드레인 전극을 포함하고, 상기 박막 패턴은 p형 이고, 상기 소스-드레인 영역은 중심 영역과 주변 영역을 포함하고, 상기 중심 영역은 상기 주변 영역의 p형보다 상대적으로 고농도의 p+형인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 금속 전극과 접촉하는 실리콘 영역을 고농도로 도핑함으로써, n채널과 p채널에서 모두 온 커런트가 개선될 수 있다. 또한 바이오 센서가 앰비폴러로 작동함으로써, 채널 변화에 관계없이 작동되는 노이즈에 의한 전계 효과와 구별될 수 있다.
Int. CL G01N 27/414 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120100995 (2012.09.12)
출원인 전자부품연구원, 주식회사 아이엠헬스케어
등록번호/일자 10-1229392-0000 (2013.01.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.12)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 주식회사 아이엠헬스케어 대한민국 강원도 원주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상대 대한민국 경기 수원시 영통구
2 이인제 대한민국 강원 원주시 천매봉길
3 성우경 대한민국 경기 성남시 분당구
4 이국녕 대한민국 서울 성북구
5 이민호 대한민국 서울 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
2 주식회사 아이엠헬스케어 강원도 원주시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0737057-84
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0742059-93
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2012.09.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2012.09.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0074829-50
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0622657-41
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0898111-38
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0898080-11
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0798662-07
9 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2013.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0066629-74
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5036461-74
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-0063666-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.26 수리 (Accepted) 4-1-2016-5104854-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.12.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5205325-07
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.16 수리 (Accepted) 4-1-2018-5233602-85
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
기판;상기 기판 상에 형성되는 절연층;상기 절연층 상에 일정한 두께로 형성되고, 양측의 소스-드레인 영역, 및 상기 소스-드레인 영역을 연결하는 감지 채널 영역을 포함하는 박막 패턴; 및상기 소스-드레인 영역 상에 각각 오믹 접합을 형성하는 소스-드레인 전극을 포함하고, 상기 박막 패턴은 p형 이고, 상기 소스-드레인 영역은 중심 영역과 주변 영역을 포함하고, 상기 중심 영역은 상기 주변 영역의 p형보다 상대적으로 고농도의 p+형인 것을 특징으로 하는 FET 기반 바이오 센서
3 3
제 2 항에 있어서,상기 기판 바이어스 전압이 음(-)으로 인가될 때 상기 중심 영역과 상기 감지 채널 영역은 동일한 도전형으로 전환되어 pMOS로 작동되고, 상기 기판 바이어스 전압이 양(+)으로 인가될 때 상기 주변 영역과 상기 감지 채널 영역은 동일한 도전형으로 전환되어 nMOS로 작동되는 것을 특징으로 하는 FET 기반 바이오 센서
4 4
기판;상기 기판 상에 형성되는 절연층;상기 절연층 상에 일정한 두께로 형성되고, 양측의 소스-드레인 영역, 및 상기 소스-드레인 영역을 연결하는 감지 채널 영역을 포함하는 박막 패턴; 및상기 소스-드레인 영역 상에 각각 오믹 접합을 형성하는 소스-드레인 전극을 포함하고, 상기 박막 패턴은 p형 이고, 상기 소스-드레인 영역은 좌우 대칭의 제1영역과 제2영역으로 구분되고, 상기 제1 및 제2영역은 중심 영역과 주변 영역을 포함하며, 상기 제1영역에서 상기 중심 영역은 상기 주변 영역의 p형보다 상대적으로 고농도의 p+형이고, 상기 제2영역에서 상기 중심 영역은 상기 주변 영역과 반대 극성이며 고농도의 n+형인 것을 특징으로 하는 FET 기반 바이오 센서
5 5
제 4 항에 있어서,상기 기판 바이어스 전압이 음(-)으로 인가될 때 제1영역은 pMOS로 작동되고, 상기 기판 바이어스 전압이 양(+)으로 인가될 때 제2영역은 nMOS로 작동됨으로써, 상기 기판 바이어스 전압에 따라 앰비폴러로 작동하는 것을 특징으로 하는 FET 기반 바이오 센서
6 6
기판;상기 기판 상에 형성되는 절연층;상기 절연층 상에 일정한 두께로 형성되고, 양측의 소스-드레인 영역, 및 상기 소스-드레인 영역을 연결하는 감지 채널 영역을 포함하는 박막 패턴; 및상기 소스-드레인 영역 상에 각각 오믹 접합을 형성하는 소스-드레인 전극을 포함하고, 상기 박막 패턴은 n형 이고, 상기 소스-드레인 영역은 좌우 대칭의 제1영역과 제2영역으로 구분되고, 상기 제1 및 제2영역은 중심 영역과 주변 영역을 포함하고, 상기 제1영역에서 상기 중심 영역은 상기 주변 영역과 반대 극성이고 고농도의 p+형이고, 상기 제2영역에서 상기 중심 영역은 상기 주변 영역의 n형보다 상대적으로 고농도의 n+형인 것을 특징으로 하는 FET 기반 바이오 센서
7 7
제 2 항, 제 4 항, 또는 제 6 항에 있어서,상기 소스-드레인 영역의 폭은 상기 감지 채널 영역의 폭보다 넓고, 상기 감지 채널 영역은 상기 소스-드레인 영역과 인접한 영역에서 상기 소스-드레인 영역으로 갈수록 그 폭이 넓어지는 테이퍼 형태인 것을 특징으로 하는 FET 기반 바이오 센서
8 8
제 7 항에 있어서,상기 절연층 상에 형성되고, 상기 감지 채널 영역을 노출시키는 제1윈도우와, 상기 전극을 노출시키는 제2윈도우를 포함하는 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 FET 기반 바이오 센서
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1 WO2014042418 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2014042418 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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