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다층 회로기판을 구성하는 각 층간의 밀착력을 향상시키는 동시에 제품의 생산성을 향상시키기 위한 다층 회로기판의 제조방법에 있어서,장입도어(11)를 개방하여 장입챔버(10) 내부에 기판(S)을 장입하는 기판장입공정(S10)과;장입챔버(10)와 본처리챔버(20) 사이를 밀폐하는 게이트밸브(V)를 개방한 후, 로봇아암(A)을 통해 장입챔버(10) 내에 장입된 기판(S)을 본처리챔버(20) 내부에 이동시켜 기판(S) 표면을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리공정(S20)과;본처리챔버(20)와 인출챔버(30) 사이를 밀폐하는 게이트밸브(V)를 개방한 후, 로봇아암(A)을 통해 본처리챔버(20) 내부의 기판(S)을 인출챔버(30) 내부로 이동시키는 기판인출공정(S30)과;인출챔버(30)의 인출도어(31)를 개방한 후, 기판(S)을 인출하여 기판(S) 표면에 동판을 압착 및 접합시키는 동판접합공정(S40)을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 회로기판 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리공정(S20)은 본처리챔버(20) 내부에 Ar가스를 주입하는 동시에 전극(22) 및 기판(S)에 RF파워를 인가하여 기판(S)의 표면을 세정하는 표면세정단계(S210)와;상기 표면세정단계(S210)를 마친 본처리챔버(20) 내에 O2가스를 주입하는 동시에 기판(S)에 RF파워를 인가함으로써, 그로 인해 발생하는 플라즈마에 의해 기판(S) 표면에 충격을 가하는 플라즈마 생성단계(S220)를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 회로기판 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 표면세정단계(S210)는 기판(S)을 본처리챔버(20) 내에 설치된 전극(22) 위에 올려 놓고, 상기 본처리챔버(20)의 내부를 5×10-5 ~ 3×10-6 torr의 압력으로 유지하는 진공유지단계(S211)와;상기 본처리챔버(20) 내부에 20sccm의 Ar가스를 주입하면서, 20mtorr의 압력을 유지하는 세정용 가스주입단계(S212)와;전극(22) 위에 올려진 기판(S)에 300W의 RF파워를 5~10분 동안 인가하여 기판(S) 표면을 세정하는 기판세정단계(S213)를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층회로기판 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 플라즈마 생성단계(S220)는 본처리챔버(20) 내부에 25sccm의 O2를 주입하면서, 20mtorr의 압력을 유지하는 플라즈마용 가스주입단계(S221)와;전극(22) 위에 올려진 기판(S)에 300W의 RF파워를 5분 동안 인가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생단계(S222)와;상기 플라즈마를 통해 기판(S) 표면에 충격을 가하는 표면에너지를 높이는 플라즈마 처리단계(S223)를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 회로기판 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 플라즈마용 가스주입단계(S221)에서 O2를 주입하는 경우, Ar가스의 주입을 차단하는 것을 특징으로 하는 다층 회로기판 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 플라즈마용 가스주입단계(S221)에서 O2를 주입하는 경우, Ar가스와 O2의 비율을 10:90~50:50으로 주입하는 것을 특징으로 하는 다층 회로기판 제조방법
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다층 회로기판을 구성하는 각 층간의 밀착력을 향상시키는 동시에 제품의 생산성을 향상시키기 위한 다층 회로기판의 제조장치에 있어서,외부로부터 기판(S)을 장입할 수 있게 장입도어(11)를 설치한 장입챔버(10)와;상기 장입챔버(10)로부터 기판(S)을 전달받아 기판(S) 표면에 플라즈마 처리를 수행하는 본처리챔버(20)와;상기 본처리챔버(20)로부터 기판(S)을 전달받되, 상기 기판(S)을 외부로 인출할 수 있게 인출도어(31)를 설치한 인출챔버(30)와;상기 장입챔버(10)와 본처리챔버(20)와 인출챔버(30) 중앙에 조성되어 기판(S)을 이동하기 전 대기시키는 대기챔버(40)와;상기 장입챔버(10) 및 대기챔버(40) 사이와, 본처리챔버(20) 및 대기챔버(40) 사이와, 인출챔버(30) 및 대기챔버(40) 사이에 각각 설치되어 기판(S)이 이동할 수 있는 통로를 개방 및 폐쇄하는 각각의 게이트밸브(V)와;상기 대기챔버(40) 중앙에 설치되어 기판을 원하는 챔버 내부로 이동시키는 로봇아암(A)을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 회로기판 제조장치
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다층 회로기판을 구성하는 각 층간의 밀착력을 향상시키는 동시에 제품의 생산성을 향상시키기 위한 다층 회로기판의 제조장치에 있어서,외부로부터 기판(S)을 장입할 수 있게 장입도어(11)를 설치한 장입챔버(10)와;상기 장입챔버(10)로부터 기판(S)을 전달받아 기판(S) 표면에 플라즈마 처리를 수행하는 본처리챔버(20)와;상기 본처리챔버(20)로부터 기판(S)을 전달받되, 상기 기판(S)을 외부로 인출할 수 있게 인출도어(31)를 설치한 인출챔버(30)와;상기 장입챔버(10)와 본처리챔버(20)와 인출챔버(30) 사이에 각각 설치되어 기판(S)이 이동할 수 있는 통로를 개방 및 폐쇄하는 각각의 게이트밸브(V)와;상기 본처리챔버(20) 내부 상단에 설치되어 기판(S)을 이동시키는 로봇아암(A)을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 회로기판 제조장치
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제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 본처리챔버(20)는 하단 내부에 기판(S)을 안착할 수 있게 설치한 전극(22)과;상기 전극(22) 및 기판(S)에 RF파워를 인가할 수 있게 하부 일측에 설치한 전원부(24)와;내부에 진공을 유지하기 위해 상부 일측에 설치한 진공펌프(26)와;기판(S) 표면을 세정하고 플라즈마를 생성하기 위한 Ar가스 및 O2가스를 공급하기 위해 상부 타측에 설치한 가스투입부(28)로 구성하는 것을 특징으로 하는 다층 회로기판 제조장치
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제 8항에 있어서, 상기 본처리챔버(20) 내부에는 다수의 기판(S)을 플라즈마 처리할 수 있게 컨베이어벨트(C)를 더 설치하고, 벨트 표면에 각 기판(S)이 안착되는 전극(22)을 다수 고정시킨 것을 특징으로 하는 다층 회로기판 제조장치
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제 10항에 있어서, 상기 본처리챔버(20)에는 내부 상단 양쪽에 로봇아암(A)을 각각 설치한 것을 특징으로 하는 다층 회로기판 제조장치
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