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특정 패턴 형성을 위한 리소그래피 공정 전산 모사 방법

  • 기술번호 : KST2015157410
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 리소그래피에 관한 것으로서, 반도체의 광 콘트라스트 특성에 따른 리소그래피에 관한 것이다. 본 발명은 광 콘트라스트 특성이 서로 다른 반도체를 수직 배열하여 리소그래피 공정에 의한 패턴 모양을 둥근형과 각 진형으로 조절할 수 있다. 식각하고자 하는 모형을 구상하여 광 콘트라스트의 특성에 맞게 반도체를 적절히 배열하여 패턴 모양을 조절 할 수 있다. 리소그래피, 패턴 형성.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자 1020070012984 (2007.02.08)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0074246 (2008.08.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오혜근 대한민국 서울특별시 영등포구
2 장욱 대한민국 경기도 안산시 상록구
3 원태영 대한민국 경기도 화성시
4 신우정 대한민국 인천광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0116560-22
2 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2007.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-5029009-17
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2007.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0256059-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2008-0003929-31
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2008-5093865-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
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번호 청구항
1 1
반도체 제조 공정 중 웨이퍼 상에 원하는 모양으로 패턴을 형성하는 리소그래피 공정 과정에 있어, 반도체를 수직으로 2개 이상 적층하여 각 반도체의 광 콘트라스트 특징에 따라 각각 다른 식각 과정이 생기며 이에 따라 원하는 구조의 패턴을 간단하게 얻을 수 있는 리소그래피 해석 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 반도체와 제2 반도체의 광 굴절률과 회절률에 따른 식각률을 적절히 제어하여 형성하는 해석 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 반도체와 제2 반도체의 광 콘트라스트가 서로 다른 혹은 서로 비슷한 것을 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 해석 방법
4 4
제1항에 있어서, 제1 반도체의 높이와 제2 반도체의 서로 다른 높이에 따라 형성되는 패턴에 영향을 주는 리소그래피 해석 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.