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하기 화학식 1로 표시되는, 화합물:[화학식 1]R1은 수소(H) 또는 메틸기(CH3)이고,X는 (CH2)x(CF2)yF[(CH2)x(CF2)yF에서, x와 y는 0 ≤ x ≤ 10, 4 ≤ y ≤ 12의 자연수]이고,R2는 수소(H) 또는 메틸기(CH3)이고,R3 및 R4 중 어느 하나는 페닐이고, 다른 하나는 페닐 또는 메틸기(CH3)이고,z는 랜덤 공중합(r) 또는 블록 공중합(b) 중 어느 하나를 나타내는 것이고,a 및 b는 단량체의 평균 몰비를 각각 나타낸 것으로서 a : b는 (5 ~ 15) : 1임
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청구항 1에 있어서,상기 화합물은,하기 화학식 3인 것을 특징으로 하는, 화합물:[화학식 3]상기 화학식 3에서,o 및 p는 각 단량체의 평균 몰비를 나타낸 것으로서, o : p는 (6 ~ 15) : 1이고, r은 랜덤 공중합체를 의미함
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청구항 2에 있어서,상기 화합물은,수평균 분자량(Mn)이 11,000 내지 12,000인 것을 특징으로 하는, 화합물
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청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나에 따른 화합물을 포함하는, 고불소화 포지티브형 전자선 레지스트
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하기 화학식 1로 표시되는 화합물의 제조방법:[화학식 1]상기 화학식 1로 표시되는 화합물은, 하기 화학식 1-1과 화학식 1-2로 표시되는 단량체를 공중합한 것이고,[화학식 1-1]상기 화학식 1-1에서,R1은 수소(H) 또는 메틸기(CH3)이고,X는 (CH2)x(CF2)yF[(CH2)x(CF2)yF에서, x와 y는 0 ≤ x ≤ 10, 4 ≤ y ≤ 12의 자연수]이고,[화학식 1-2]상기 화학식 1-2에서,R2는 수소(H) 또는 메틸기(CH3)이고,R3 및 R4 중 어느 하나는 페닐이고, 다른 하나는 페닐 또는 메틸기(CH3)이고,상기 화학식 1에서,z는 화학식 1-1과 화학식 1-2로 표시되는 단량체의 중합반응의 종류를 나타낸 것으로서 z는 랜덤 공중합(r) 또는 블록 공중합(b) 중 어느 하나를 나타내는 것이고,a 및 b는 화학식 1-1과 화학식 1-2로 표시되는 단량체의 평균 몰비를 각각 나타낸 것으로서 a : b는 (6 ~ 15) : 1임
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청구항 5에 있어서,상기 화학식 1-1로 표시되는 단량체는,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10-헵타데카플루오로데실 메타크릴레이트(FDMA) 또는 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-트라이데카플루오로옥틸 메타크릴레이트(FOMA) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 화합물의 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 화학식 1-2로 표시되는 단량체는,1,2-프로판디온, 1-페닐-, 2-[O-(2-메틸-1-옥소-2-프로페닐)옥심](1,2-Propanedione, 1-phenyl-, 2-[O-(2-methyl-1-oxo-2-propenyl)oxime])인 것을 특징으로 하는, 화합물의 제조방법
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청구항 4에 따른 전자선 레지스트 재료를 고불소계 용제에 용해시켜 레지스트 용액을 준비하는 단계;상기 레지스트 용액을 기판 상에 도포하는 단계;상기 레지스트 용액이 도포된 기판을 가열하여 레지스트 박막을 형성하는 단계; 및상기 형성된 레지스트 박막에 전자선을 조사한 후 고불소계 용제로 형성된 레지스트 박막을 현상하여 나노패턴을 형성하는 단계;를 포함하는, 전자선 레지스트 재료를 이용한 나노패턴 형성방법
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청구항 8에 있어서,상기 레지스트 용액은,3
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청구항 8에 있어서,상기 레지스트 용액을 기판 상에 도포하는 단계는,레지스트 용액을 2500 내지 3500 rpm으로 30 내지 90초 동안 스핀코팅하여 기판 상에 도포하는 것을 특징으로 하는, 전자선 레지스트 재료를 이용한 나노패턴 형성방법
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청구항 8에 있어서,상기 레지스트 박막을 형성하는 단계는,레지스트 용액이 도포된 기판을 80 내지 120℃에서 30 내지 90초 동안 가열하여 레지스트 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는, 전자선 레지스트 재료를 이용한 나노패턴 형성방법
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청구항 8에 있어서,상기 레지스트 박막은,평균 두께가 150 내지 200 nm인 것을 특징으로 하는, 전자선 레지스트 재료를 이용한 나노패턴 형성방법
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청구항 8에 있어서,상기 레지스트 박막을 현상하는 단계는,70 내지 90 keV 가속전압 하에서 0
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