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제1 방향으로 형성되며, 데이터전압을 전달하는 데이터 라인과; 상기 제1 방향과 교차되는 제2 방향으로 형성되며, 스캔 신호를 전달하는 다수의 스캔 라인과; 상기 데이터 라인과 다수의 스캔 라인에 의해 정의되는 각 화소를 선택하도록 형성된 각각의 스위칭 트랜지스터와; 상기 데이터 라인으로 인가되는 전압에 따라 해당 전하를 저장하도록 형성된 각각의 커패시터와; 상기 스캔 라인을 통해 전원전압을 공급받도록 상기 스캔 라인과 접속된 각각의 구동 트랜지스터와; 상기 구동 트랜지스터에 흐르는 전류에 의해 발광하는 각각의 유기발광소자(Organic-Light Emitting Diode)를 포함함을 특징으로 하는 유기발광소자의 화소구조
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제 1 항에 있어서, 상기 각 화소의 구동 트랜지스터는 상기 다수의 스캔 라인 중 현재단의 스캔 라인에 접속됨을 특징으로 하는 유기발광소자의 화소구조
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제 2 항에 있어서, 상기 커패시터는 상기 스캔 신호가 스위칭 될 경우에도 인가된 데이터가 보존되도록 고정된 전압을 갖는 노드에 접속됨을 특징으로 하는 유기발광소자의 화소구조
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제 1 항에 있어서, 상기 각 화소의 구동 트랜지스터는 상기 다수의 스캔 라인 중 인접한 단의 스캔 라인에 상호 교차하여 접속됨을 특징으로 하는 유기발광소자의 화소구조
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구동 트랜지스터와 데이터 라인을 구비하는 회로영역과; 투명 도전성 물질층, 발광층, 캐소드층을 구비하는 발광영역을 포함하는 유기발광소자의 화소구조에 있어서, 상기 데이터 라인과 접속하도록 상기 발광영역의 투명 도전성 물질층과 동일층의 상기 회로영역에 형성되어 커패시터의 제1 전극으로 작용하는 투명 도전성 물질층과; 상기 회로영역 및 상기 발광영역의 상기 투명 도전성 물질층 전면에 형성되어 상기 회로영역에서 상기 커패시터의 유전층으로 작용하는 뱅크(BANK)층과; 상기 뱅크층 상부에 형성되되, 상기 발광영역에서 상기 투명 도전성 물질층과 접하도록 형성된 유기전계발광층과; 상기 유기전계발광층 상부에 형성되어, 상기 회로영역에서는 상기 커패시터의 제2 전극으로 작용하며, 상기 발광영역에서는 캐소드 전극으로 작용하는 전극층을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 유기발광소자의 화소구조
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6
제 5 항에 있어서, 입력된 데이터가 상기 게이트 전극과 상기 데이터 라인을 거쳐 상기 회로영역의 상기 투명 도전성 물질층으로 인가되도록, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 데이터 라인과 접속함을 특징으로 하는 유기발광소자의 화소구조
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7
제 6 항에 있어서, 상기 구동트랜지스터의 드레인 전극은 상기 발광영역의 상기 투명 도전성 물질층과 접속함을 특징으로 하는 유기발광소자의 화소구조
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제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 투명 도전성 물질층은 ITO(Indium Tin Oxide)층임을 특징으로 하는 유기발광소자의 화소구조
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제 5 항에 있어서, 상기 뱅크(BANK)층은 SiO2 또는 SiNX 등의 무기물 유전체 또는 유기물 유전체를 포함함을 특징으로 하는 유기발광소자의 화소구조
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9
제 5 항에 있어서, 상기 뱅크(BANK)층은 SiO2 또는 SiNX 등의 무기물 유전체 또는 유기물 유전체를 포함함을 특징으로 하는 유기발광소자의 화소구조
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