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유기발광 표시장치의 화소 회로

  • 기술번호 : KST2015159204
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 유기발광 표시장치의 화소 회로에 있어서, 유기발광소자와, 게이트 선택 신호를 게이트 단에 인가받으며 데이터 신호를 입력받는 제1트랜지스터와, 제1트랜지스터와 게이트 단이 연결되며 유기발광소자의의 전류를 구동하는 제2트랜지스터와, 데이터 신호를 게이트 단에 인가받으며 제어 신호를 입력받는 제3트랜지스터와, 제3트랜지스터와 제2트랜지스터의 게이트 단을 연결하는 제1커패시터와, 제1커패시터와 직렬 구성을 가지며 양자간의 커패시턴스 비율에 따라 설정되는 스케일링 팩터를 구성하는 제2커패시터를 포함함을 특징으로 한다.OLED, 단위 화소, 구동, 전류 편차
Int. CL G09G 3/30 (2006.01)
CPC G09G 3/3266(2013.01)
출원번호/일자 1020050067265 (2005.07.25)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0679717-0000 (2007.01.31)
공개번호/일자 10-2007-0012979 (2007.01.30) 문서열기
공고번호/일자 (20070206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.07.25)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한민구 대한민국 서울특별시 강남구
2 남우진 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 이재훈 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이건주 대한민국 서울 종로구 명륜동*가 ***-* 미화빌딩 이건주특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-0403636-89
2 등록결정서
Decision to grant		 2006.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0646073-42
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유기발광 표시장치의 화소 회로에 있어서,유기발광소자와,게이트 선택 신호를 게이트 단에 인가받으며, 데이터 신호를 입력받는 제1트랜지스터와,상기 제1트랜지스터와 게이트 단이 연결되며, 상기 유기발광소자의의 전류를 구동하는 제2트랜지스터와,상기 데이터 신호를 게이트 단에 인가받으며, 제어 신호를 입력받는 제3트랜지스터와,상기 제3트랜지스터와 상기 제2트랜지스터의 게이트 단을 연결하는 제1커패시터와,상기 제1커패시터와 직렬 구성을 가지며, 양자간의 커패시턴스 비율에 따라 설정되는 스케일링 팩터를 구성하는 제2커패시터를 포함함을 특징으로 하는 화소 구조
2 2
제1항에 있어서, 상기 제3트랜지스터에 입력되는 제어 신호는 상기 게이트 선택 신호임을 특징으로 하는 화소 구조
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2트랜지스터에는 전류구동 전원 또는 상기 게이트 선택 신호가 입력됨을 특징으로 하는 화소 구조
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.