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전압기입방식 화소구조

  • 기술번호 : KST2015160867
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기발광소자의 구동을 위한 전압기입방식 화소구조에 관한 것으로, 비정질 박막트랜지스터를 이용한 저소비전력용 능동형 유기발광표시장치의 화소구조에 관한 것이다.본 발명에 따른 전압기입방식 화소구조는 유기물 발광다이오드(O-LED)와; 외부에서 인가되는 선택 신호에 의해 구동 화소를 선택하는 제1 트랜지스터와; 상기 선택수단에 의해 인가되는 제어전압에 따라 소정의 전하를 저장하는 커패시터와; 상기 커패시터에 저장된 전하에 따른 전압을 수신하여 전류를 상기 유기물 발광다이오드에 인가하는 제2 트랜지스터; 및 발광과정에서는 상기 유기물 발광다이오드에 전류가 흐르도록 하고, 상기 제2 트랜지스터의 문턱전압 보상과정에서는 상기 유기물 발광다이오드로의 전류흐름을 차단하는 문턱전압 보상부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 비정질 실리콘 박막트랜지스터, 문턱전압, 전압기입
Int. CL G09G 3/30 (2006.01)
CPC G09G 3/3241(2013.01) G09G 3/3241(2013.01)
출원번호/일자 1020060050372 (2006.06.05)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0810602-0000 (2008.02.28)
공개번호/일자 10-2007-0116389 (2007.12.10) 문서열기
공고번호/일자 (20080306) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.05)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한민구 대한민국 서울특별시 강남구
2 신희선 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이건주 대한민국 서울 종로구 명륜동*가 ***-* 미화빌딩 이건주특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2006-0395898-24
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0016384-23
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0308444-84
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0559812-56
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0559810-65
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0652222-80
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
유기물 발광다이오드(O-LED)와;외부에서 인가되는 선택 신호에 의해 구동 화소를 선택하는 제1 트랜지스터와;상기 선택수단에 의해 인가되는 제어전압에 따라 소정의 전하를 저장하는 커패시터와;상기 커패시터에 저장된 전하에 따른 전압을 수신하여 전류를 상기 유기물 발광다이오드에 인가하는 제2 트랜지스터; 및 발광과정에서는 상기 유기물 발광다이오드에 전류가 흐르도록 하고, 상기 제2 트랜지스터의 문턱전압 보상과정에서는 상기 유기물 발광다이오드로의 전류흐름을 차단하는 문턱전압 보상부를 포함하며, 상기 문턱전압 보상부는 상기 선택신호에 의해 제어되며, 소스 전극이 상기 커패시터와 상기 제2 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 접속된 제3 트랜지스터와;EMS 신호에 의해 제어되며, 소스 전극이 상기 제1 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 커패시터 사이에 접속된 제4 트랜지스터; 및 클록신호에 의해 제어되며, 소스 전극이 외부 전압원에 연결되고, 드레인 전극이 상기 제3 트랜지스터의 소스 전극에 접속된 제5 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압기입방식 화소 구조
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 제2 트랜지스터의 문턱전압 보상과정에서 상기 클록신호는 로우(low)이며, 상기 외부 전압원은 음의 전압을 인가함으로써 상기 유기물 발광다이오드의 애노드 전압을 상기 유기물 발광다이오드의 문턱전압 이하로 유지함을 특징으로 하는 전압기입방식 화소구조
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.