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전압기입방식의 능동구동 유기발광소자를 위한 화소 구조

  • 기술번호 : KST2015159155
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 게이트로는 외부 제어 신호(EMS)를 인가받으며 OLED의 캐소드 부분이 드레인영역에 접속되어 OLED 발광시 OLED 전류를 소스/드레인 전류통로로 인가받는 제5 스위칭 트랜지스터와(제5TFT T5), 설정된 스캔 신호(SCAN 신호)가 게이트로 접속되며 제3TFT T3의 게이트 부분과 드레인 부분을 소스/드레인 영역으로 접속된 제4 스위칭 트랜지스터(제4TFT T4)와, OLED 발광시 OLED 전류를 결정해주는 전류 구동 트랜지스터인 제3TFT T3과, 제3TFT T3의 게이트 부분과 VSS를 각기 상판과 하판으로 구성하는 캐패시터 C와, 게이트로는 외부 스캔신호 (SCAN)를 인가받으며 데이터 전압을 제3TFT T3의 소스 영역에 전달해주는 제1 스위칭 트랜지스터(제1TFT T1)과, 게이트로는 외부제어 신호(EMS)를 인가받으며 캐패시터 C의 하판 부분과 제3TFT T3의 소스 영역을 연결해주는 제2 스위칭 트랜지스터(제2TFT T2), 그리고 소스와 드레인 영역이 각기 외부 클럭 신호(CLK)와 제3TFT T3의 게이트 영역으로 연결되어 있고 동시에 게이트와 제3TFT T3의 게이트 부분이 접속되어 있는 제6스위칭 트랜지스터(제6TFT T6)로 구성된다. 이때 OLED의 애노드 부분은 VDD를 인가받는다. active matrix OLED, 비정질 실리콘 박막트랜지스터, 열화 보상
Int. CL G09G 3/30 (2006.01)
CPC G09G 3/3258(2013.01) G09G 3/3258(2013.01) G09G 3/3258(2013.01) G09G 3/3258(2013.01)
출원번호/일자 1020050092966 (2005.10.04)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단, 삼성디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1219049-0000 (2012.12.31)
공개번호/일자 10-2006-0113334 (2006.11.02) 문서열기
공고번호/일자 (20130109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050036073   |   2005.04.29
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.04)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
2 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한민구 대한민국 서울특별시 강남구
2 이재훈 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구
2 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2005-0560410-61
2 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2006.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2006-5063392-20
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0310189-61
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0639645-75
6 보정요구서
Request for Amendment
2010.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0090966-32
7 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2010.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0660418-11
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0057907-63
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0206846-81
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0206845-35
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2012.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0503433-18
13 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0742340-18
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0817950-96
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0817951-31
16 등록결정서
Decision to grant
2012.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0657685-28
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전압기입방식의 능동구동 유기발광소자를 이용한 화소 구조에 있어서,게이트로는 외부 스캔 신호를 인가받으며, 데이터 전압을 소스/드레인 전류통로를 통해 인가받는 제1스위칭 트랜지스터와,제1전원전압이 애노드로 인가되는 유기발광소자와,게이트로는 외부 제어신호를 인가받으며 상기 유기발광소자의 캐소드 부분이 드레인에 접속되어 상기 유기발광소자의 전류를 소스/드레인 전류통로로 인가받는 제5스위칭 트랜지스터와,상기 제1스위칭 트랜지스터의 소스/드레인 전류통로와 자신의 소스/드레인 전류통로가 접속되며, 게이트로는 상기 외부 제어신호가 인가되는 제2스위칭 트랜지스터와,상기 제5스위칭 트랜지스터의 소스/드레인 전류통로와 자신의 소스/드레인 전류통로와 연결되며, 소스부분은 상기 제1 스위칭 트랜지스터의 소스/드레인 전류 통로와 상기 제2 스위칭 트랜지스터의 소스/드레인 전류 통로가 접속되는 B노드에 연결되는 제3구동 트랜지스터와,게이트로는 상기 외부 스캔 신호를 인가받으며, 소스/드레인 전류통로는 상기 제3구동 트랜지스터의 게이트/드레인을 접속하는 제4스위칭 트랜지스터와,상기 제3 구동 트랜지스터의 게이트와 상기 제4 스위칭 트랜지스터의 드레인이 접속되는 노드 A와 제2공급전원에 직렬 연결되는 캐패시터를 포함함을 특징으로 하는 화소 구조
2 2
전압기입방식의 능동구동 유기발광소자를 이용한 화소 구조에 있어서,게이트로는 외부 스캔 신호를 인가받으며, 데이터 전압을 소스/드레인 전류통로를 통해 인가받는 제1스위칭 트랜지스터와,제1전원전압이 애노드로 인가되는 유기발광소자와,게이트로는 외부 제어신호를 인가받으며 상기 유기발광소자의 캐소드 부분이 드레인에 접속되어 상기 유기발광소자의 전류를 소스/드레인 전류통로로 인가받는 제5스위칭 트랜지스터와,상기 제1스위칭 트랜지스터의 소스/드레인 전류통로와 자신의 소스/드레인 전류통로가 접속되며, 게이트로는 상기 외부 제어신호가 인가되는 제2스위칭 트랜지스터와,상기 제5스위칭 트랜지스터의 소스/드레인 전류통로와 자신의 소스/드레인 전류통로와 연결되며, 소스부분은 제2공급전원에 연결되는 제3구동 트랜지스터와,게이트로는 상기 외부 스캔 신호를 인가받으며, 소스/드레인 전류통로는 상기 제3구동 트랜지스터의 게이트/드레인을 접속하는 제4스위칭 트랜지스터와,상기 제3 구동 트랜지스터의 게이트와 상기 제4 스위칭 트랜지스터의 소스/드레인 전류통로가 접속되는 노드 A와 상기 제1 스위칭 트랜지스터의 소스/드레인 전류통로와 제2 스위칭 트랜지스터의 소스/드레인 전류통로가 접속되는 노드 B에 직렬 연결되는 캐패시터를 포함함을 특징으로 하는 화소 구조
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 소스와 드레인 영역이 각기 외부 클럭 신호와 상기 제3구동 트랜지스터의 게이트 영역으로 연결되어 있고, 동시에 게이트와 상기 제3구동 트랜지스터의 게이트 부분이 접속되어 있는 제6스위칭 트랜지스터를 더 구비함을 특징으로 하는 화소 구조
4 4
전압기입방식의 능동구동 유기발광소자를 이용한 화소 구조에 있어서,미리 설정된 제어신호에 따라 전류가 애노드로 인가되는 유기발광소자와,게이트로는 외부의 스캔 신호를 인가받아 구동 화소를 선택하며, 데이터 전압을 소스/드레인 전류통로로 인가받는 제1스위칭 트랜지스터와,상기 유기발광소자의 캐소드와 자신의 소스/드레인 전류통로와 연결되는 구동용 트랜지스터와,상기 스위칭 트랜지스터의 소스/드레인 전류통로와 자신의 소스/드레인 전류통로가 연결되는 제2스위칭 트랜지스터와, 상기 구동용 트랜지스터의 게이트/드레인을 접속하는 제4스위칭 트랜지스터를 구비하여 상기 제어신호가 오프되는 구간에 상기 유기발광소자와 상기 구동용 트랜지스터간의 전류통로를 폐쇄하여 문턱전압을 저장하는 회로 구성부를 포함함을 특징으로 하는 화소 구조
5 5
전압기입방식의 능동구동 유기발광소자를 이용한 화소 구조에 있어서,게이트로는 외부 스캔 신호를 인가받으며, 데이터 전압을 소스/드레인 전류통로로 인가받는 제1스위칭 트랜지스터와,미리 설정된 제어신호에 따라 전류가 애노드로 인가되는 유기발광소자와,노드 B에서 상기 제1스위칭 트랜지스터의 소스/드레인 전류통로와 자신의 소스/드레인 전류통로가 접속되며, 게이트로는 상기 제어신호가 인가되는 제2스위칭 트랜지스터와,상기 유기발광소자의 캐소드와 자신의 소스/드레인 전류통로와 연결되며, 게이트는 노드 A와 연결되는 제3구동 트랜지스터와,게이트로는 상기 외부 스캔 신호를 인가받으며, 소스/드레인 전류통로는 상기 노드 A를 통해 상기 제3구동 트랜지스터의 게이트/드레인을 접속하는 제4스위칭 트랜지스터와,상기 노드 A와 상기 노드 B에 직렬 연결되는 캐패시터를 포함함을 특징으로 하는 화소 구조
6 6
전압기입방식의 능동구동 유기발광소자를 이용한 화소 구조에 있어서,미리 설정된 제어신호가 애노드로 인가되는 유기발광소자와,게이트로는 외부의 스캔 신호를 인가받으며, 데이터 전압을 소스/드레인 전류통로로 인가받는 제1스위칭 트랜지스터와,노드 B에서 상기 제1스위칭 트랜지스터의 소스/드레인 전류통로와 자신의 소스/드레인 전류통로가 접속되며, 게이트로는 미리 설정된 제어신호가 인가되는 제2스위칭 트랜지스터와,상기 유기발광소자의 애노드와 상기 노드 B가 자신의 소스/드레인 전류통로와 연결되며, 게이트는 노드 A와 연결되는 제3구동 트랜지스터와,게이트로는 상기 스캔신호를 인가받으며, 소스/드레인 전류통로는 상기 노드A를 통해 상기 제3구동 트랜지스터의 게이트/드레인을 접속하는 제4스위칭 트랜지스터와,상기 노드 A와 접지전원에 직렬 연결되는 캐패시터를 포함함을 특징으로 하는 화소 구조
7 7
제5항 또는 제6항에 있어서, 소스와 드레인 영역이 각기 외부 클럭 신호와 상기 제3구동 트랜지스터의 게이트 영역으로 연결되어 있고, 동시에 게이트와 상기 제3구동 트랜지스터의 게이트 부분이 접속되어 있는 제5스위칭 트랜지스터를 더 구비함을 특징으로 하는 화소 구조
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07872620 US 미국 FAMILY
2 US20060256057 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2006256057 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7872620 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.