맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

표면증강 라만 산란 나노-표지 입자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015159378
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 생체분자 고속 검출에 사용될 수 있는 표면 증강 라만 산란 나노-표지 입자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 표면증강 라만 산란 나노-표지 입자는 매우 간편하게 제조될 수 있으며, 라만 스펙트럼에 매우 민감하기 때문에 분석이 용이하다는 이점이 있다. 또한, 표면에 표지될 수 있는 화학물질로 다양한 종류가 사용될 수 있기 때문에, 매우 경제적으로 제조될 수 있다. EK라서, 본 발명에 따른 표면증강 라만 산란 나노-표지 입자는 생체분자를 검출하는 데 매우 유용하게 사용될 수 있다.실리카 입자, 은나노 입자, 실리카 껍질, 라만 스펙트럼
Int. CL C01B 33/18 (2011.01) G01N 33/50 (2011.01) C01B 33/12 (2011.01) G01N 33/48 (2011.01)
CPC G01N 33/532(2013.01) G01N 33/532(2013.01)
출원번호/일자 1020060058841 (2006.06.28)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0733085-0000 (2007.06.21)
공개번호/일자 10-2007-0014964 (2007.02.01) 문서열기
공고번호/일자 (20070628) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050069472   |   2005.07.29
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.28)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이윤식 대한민국 경기 안양시 동안구
2 정대홍 대한민국 서울 관악구
3 김종호 대한민국 서울 동작구
4 최희정 대한민국 서울 노원구
5 이상명 대한민국 경북 영주시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 사이언스앳홈 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0464456-65
2 등록결정서
Decision to grant		 2007.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0302949-99
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
은나노 입자가 표면에 도입되어 있고 상기 은나노 입자에 표지물질과 실리카 껍질 전구체가 고정화된 실리카 중심 입자; 및 상기 실리카 중심 입자를 둘러싼 실리카 껍질로 이루어진 표면증강 라만 산란 나노-표지 입자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 실리카 중심 입자의 크기는 50~300nm인 것을 특징으로 하는표면증강 라만 산란 나노-표지 입자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 표지물질은 은나노 입자와 결합력이 높은 화학물질인 것을 특징으로 하는표면증강 라만 산란 나노-표지 입자
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 표지물질은 2-메틸벤젠티올, 4-메틸벤젠티올, 4-머켑토피리딘, 2-나프탈렌티올, 4-메톡시벤젠티올, 3-메톡시벤젠티올, 3,4-디메틸벤젠티올, 티오페놀 및 3,5-디메틸벤젠티올로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는표면증강 라만 산란 나노-표지 입자
5 5
제 1 항에 있어서,상기 실리카 껍질 전구체는 3-머켑토프로필트리메톡시실란 및 3-아미노프로필트리에톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는표면증강 라만 산란 나노-표지 입자
6 6
제 1 항에 있어서,상기 실리카 껍질은 테트라에틸 오르소실리케이트와 소디움 실리케이트에 의해 형성되며, 두께는 10~50nm인 것을 특징으로 하는표면증강 라만 산란 나노-표지 입자
7 7
실리카 중심 입자 표면에 은나노 입자를 도입하는 단계;상기 은나노 입자에 표지물질과 실리카 껍질 전구체를 고정화시키는 단계; 및상기 표지물질과 실리카 껍질 전구체가 고정화된 실리카 중심 입자 주변에 실리카 껍질을 형성시키는 단계를 포함하는 표면증강 라만 산란 나노-표지 입자의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 은나노 입자의 도입은, 실리카 중심 입자와 은나노 입자를 40~100℃에서 반응시키는 것에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는표면증강 라만 산란 나노-표지 입자의 제조방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 표지물질과 실리카 껍질 전구체의 고정화는, 은나노 입자가 도입된 실리카 중심 입자와 표지물질 및 실리카 껍질 전구체를 실온에서 60분 동안 반응시키는 것에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는표면증강 라만 산란 나노-표지 입자의 제조방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 실리카 껍질의 형성은, 테트라에틸 오르소실리케이트와 소디움 실리케이트를 실온에서 48시간 동안 실리카 중심 입자와 반응하는 것에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는표면증강 라만 산란 나노-표지 입자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07982870 US 미국 FAMILY
2 US20100321683 US 미국 FAMILY
3 WO2008001978 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010321683 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7982870 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2008001978 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.