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질화물계 반도체 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015159433
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 GaN계 반도체 소자의 오믹접합저항을 감소시키는 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물계 반도체 소자는, GaN계 반도체층 위에 오믹접합층이 형성된 구조를 포함하며, 상기 오믹접합층 하부의 상기 GaN계 반도체층에 형성되어 오믹접합저항을 감소시키는 실리콘 원자 확산층을 더 포함함을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 따른 질화물계 반도체 소자의 제조방법은, GaN계 반도체층 위에 오믹접합층을 형성하는 방법에 있어서, 예정된 오믹접합 영역의 상기 GaN계 반도체층 위에 비정질 실리콘막을 형성하는 과정과; 상기 비정질 실리콘막 전체를 둘러싸도록 상기 GaN계 반도체층 위에 실리콘 산화막을 형성하는 과정과; 상기 비정질 실리콘막 내의 실리콘 원자가 예정된 오믹접합영역 하부의 상기 GaN계 반도체층으로 확산되도록 레이저 펄스를 조사하여 어닐링 하는 과정 및 상기 실리콘 산화막 및 비정질 실리콘막을 제거하고, 예정된 오믹접합영역의 상기 GaN계 반도체층 위에 오믹접합층을 형성하는 과정을 포함함을 특징으로 한다. GaN 소자, 오믹접합저항, 비정질 실리콘, 어닐링
Int. CL H01L 21/318 (2006.01) H01L 29/47 (2006.01) H01L 29/45 (2006.01)
CPC H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01)
출원번호/일자 1020060051439 (2006.06.08)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0761867-0000 (2007.09.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070928) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한민구 대한민국 서울특별시 강남구
2 하민우 대한민국 서울특별시 관악구
3 최영환 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이건주 대한민국 서울 종로구 명륜동*가 ***-* 미화빌딩 이건주특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2006-0402794-40
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.01.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.02.09 수리 (Accepted) 9-1-2007-0008365-23
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0110860-21
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0316361-89
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.05.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0388236-01
7 의견서
Written Opinion		 2007.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0388238-92
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0352934-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
GaN계 반도체층과;상기 GaN계 반도체층 위에 형성된 오믹접합층과;상기 GaN계 반도체층과 상기 오믹접합층 사이에 형성된 실리콘 원자 확산층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 GaN계 반도체 소자는수평형 GaN 쇼트키 장벽 다이오드, 수직형 GaN 벌크 쇼트키 장벽 다이오드, 금속반도체 전계효과트랜지스터(MESFET) 또는 고전자이동도 트랜지스터(HEMT) 중 하나인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
3 3
GaN계 반도체층 위에 오믹접합층을 형성하는 방법에 있어서,예정된 오믹접합 영역의 상기 GaN계 반도체층 위에 비정질 실리콘막을 형성하는 과정과;상기 비정질 실리콘막 전체를 둘러싸도록 상기 GaN계 반도체층 위에 실리콘 산화막을 형성하는 과정과;상기 비정질 실리콘막 내의 실리콘 원자가 예정된 오믹접합영역 하부의 상기 GaN계 반도체층으로 확산되도록 레이저 펄스를 조사하여 어닐링 하는 과정 및 상기 실리콘 산화막 및 비정질 실리콘막을 제거하고, 예정된 오믹접합영역의 상기 GaN계 반도체층 위에 오믹접합층을 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 레이저는상기 비정질 실리콘막 내의 실리콘 원자가 흡수할 수 있는 파장의 빛을 방출하는 것으로, XeCl 엑시머 레이저인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조방법
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 실리콘 원자의 상기 GaN계 반도체층으로의 확산정도는 상기 비정질 실리콘막의 두께, 상기 실리콘 산화막의 두께, 상기 레이저의 조사 횟수, 레이저의 조사 각도 등에 의해 제어할 수 있음을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.