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저온 실리콘 질화물 형성방법 및 이 방법으로 형성된결정질 나노 도트를 포함하는 전하 트랩형 메모리 소자 및그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015159973
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저온 실리콘 질화물(nitride) 형성방법과 이 방법으로 형성된 결정질 나노 도트를 포함하는 전하 트랩형 메모리 소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 필라멘트를 포함하는 실리콘 질화물 증착장치의 챔버에 기판을 로딩하는 제1 단계, 유입될 반응가스를 해리될 수 있는 소정 온도까지 상기 필라멘트의 온도를 높이는 제2 단계 및 상기 챔버에 실리콘 질화물 형성용 반응가스를 공급하는 제3 단계를 포함하고, 상기 필라멘트의 온도는 1400℃-2000℃로 유지하고, 상기 제3 단계에서 상기 챔버의 압력은 수torr-수십torr로 유지하여, 상기 기판 상에 결정질 실리콘 질화물로 형성되는 막 또는 결정질 실리콘 질화물로 형성되는 나노 도트를 형성하는 실리콘 질화물 형성방법을 제공한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/318 (2011.01)
CPC H01L 21/0217(2013.01) H01L 21/0217(2013.01) H01L 21/0217(2013.01) H01L 21/0217(2013.01)
출원번호/일자 1020080040821 (2008.04.30)
출원인 삼성전자주식회사, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0031193 (2009.03.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070096963   |   2007.09.21
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최상무 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 황농문 대한민국 서울특별시 서초구
3 설광수 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 김찬수 대한민국 서울특별시 동작구
5 윤웅규 대한민국 인천광역시 남구
6 이동권 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0314616-14
2 [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서
[Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document		 2008.05.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-5023218-47
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.05.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0347918-60
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
필라멘트를 포함하는 실리콘 질화물 증착장치의 챔버에 기판을 로딩하는 제1 단계;유입될 반응가스가 해리될 수 있는 온도까지 상기 필라멘트의 온도를 높이는 제2 단계; 및상기 챔버에 실리콘 질화물 형성용 반응가스를 공급하는 제3 단계를 포함하고,상기 필라멘트의 온도는 1400℃-2000℃로 유지하고,상기 제3 단계에서 상기 챔버의 압력은 수torr-수십torr로 유지하여,상기 기판 상에 결정질 실리콘 질화물을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 질화물 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 500℃-700℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 실리콘 질화물 형성방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 챔버의 압력은 4torr-40torr인 것을 특징으로 하는 실리콘 질화물 형성방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 반응가스는 실리콘(Si)을 공급하기 위한 제1 소오스 가스와 질소(N)를 공급하기 위한 제2 소오스 가스이고,상기 제1 소오스 가스는 모노실란(SiH4), 디실란, 트리실란 또는 테트라실란인 것을 특징으로 하는 실리콘 질화물 형성방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 제1 소오스 가스가 20%의 모노 실란이고, 상기 제2 소오스 가스가 암모니아 가스(NH3)일 때, 상기 제1 및 제2 소오스 가스의 흐름률(flow ratio)은 1:50, 1:100 또는 1:200을 유지하는 것을 특징으로 하는 실리콘 질화물 형성방법
6 6
기판 상에 순차적으로 적층된 터널링막, 전하 트랩층, 전하 차단층 및 게이트 전극을 포함하는 전하 트랩형 메모리 소자에 있어서,상기 전하 트랩층은 결정질 실리콘 질화물인 전하 트랩형 메모리 소자
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 전하 트랩층은 결정질 실리콘 질화물 나노 도트층인 전하 트랩형 메모리 소자
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 결정질 실리콘 질화물 나노 도트층은 다결정인 전하 트랩형 메모리 소자
9 9
제 6 항에 있어서, 상기 터널링막은 비정질인 전하 트랩형 메모리 소자
10 10
전하 트랩 수단을 포함하는 게이트 적층물을 구비하는 전하 트랩형 메모리 소자의 제조 방법에 있어서,기판 상에 터널링막을 형성하는 단계;상기 터널링막 상에 상기 전하 트랩 수단으로써 결정질 실리콘 질화물을 형성하는 단계;상기 결정질 실리콘 질화물을 덮는 전하 차단층을 형성하는 단계; 및상기 전하 차단층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 전하 트랩형 메모리 소자의 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 결정질 실리콘 질화물은 열선 기상 증착 장치를 이용하여 형성하는 전하 트랩형 메모리 소자의 제조 방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 결정질 실리콘 질화물은 청구항 1항의 과정에 따라 형성하는 전하 트랩형 메모리 소자의 제조 방법
13 13
제 10 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 결정질 실리콘 질화물은 상기 결정질 실리콘 질화물 나노 도트로 형성하는 전하 트랩형 메모리 소자의 제조방법
14 14
제 10 항에 있어서, 상기 터널링막은 비정질막으로 형성하는 전하 트랩형 메모리 소자의 제조방법
15 15
제 13 항에 있어서, 상기 결정질 실리콘 질화물 나노 도트는 다결정인 전하 트랩형 메모리 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20090078989 US 미국 FAMILY

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1 US2009078989 US 미국 DOCDBFAMILY
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