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ＴａＮ 쇼트키 접촉을 포함하는 질화물계 반도체 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015137026
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 질화물계 반도체 제작 방법이 개시된다. 본 발명에 의한 제작 방법은, 표면에 GaN을 포함하는 질화물계 반도체 층을 형성하는 단계, 질화물계 반도체에 메사 공정을 수행하여 메사 구조를 형성하는 단계; 및 상기 메사 구조상에 TaN을 포함하는 쇼트키 접촉(SCHOTTKY CONTACT)을 형성하는 단계;를 포함한다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/47 (2006.01.01) H01L 29/20 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01)
출원번호/일자 1020130019245 (2013.02.22)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1402096-0000 (2014.05.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140602) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.22)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 석오균 대한민국 서울특별시 관악구
2 안우진 대한민국 서울특별시 관악구
3 한민구 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이건주 대한민국 서울 종로구 명륜동*가 ***-* 미화빌딩 이건주특허법률사무소
2 김정훈 대한민국 서울 종로구 명륜동*가 ***-* 미화빌딩 (이건주특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0162330-58
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-0195240-10
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0840403-18
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.11.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2013-0104588-24
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0888438-54
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0164654-16
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0164655-62
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0148822-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면에 GaN을 포함하는 질화물계 반도체 층을 형성하는 단계;질화물계 반도체에 메사 공정을 수행하여 메사 구조를 형성하는 단계; 및상기 메사 구조상에 TaN을 포함하는 쇼트키 접촉(SCHOTTKY CONTACT)을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 질화물계 반도체 층을 형성하는 단계는,절연성의 기판을 마련하는 단계;상기 기판 상면에 제1질화물계 반도체인 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층과의 사이에 2차원 전자 가스층을 형성하도록 상기 버퍼층 상면에 AlGaN층을 형성하는 단계; 및 상기 AlGaN층 상면에 GaN층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 제작 방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 GaN으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 제작 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 절연성의 기판을 마련하는 단계 이후, 상기 기판 상면에 제1질화물계 반도체인 버퍼층을 형성하는 단계 이전에, 상기 기판 상면에, 제1질화물계 반도체의 에피구조를 성장시키기 위한 전이층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 질화물계 반도체 제작 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 전이층은 AlN으로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 제작 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층은, 4μm의 두께로 형성되고,상기 AlGaN층은 20nm의 두께로 형성되고,상기 GaN층은 3nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 제작 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 AlGaN층의 Al : Ga : N의 함량 비율은 23 : 77 : 100인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 제작 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 TaN을 포함하는 쇼트키 접촉은, 상기 GaN 층 상에만 형성시키는 질화물계 반도체 제작 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 TaN을 포함하는 쇼트키 접촉은, 상기 GaN 층 및 메사 구조 측벽 상에 형성시키는 질화물계 반도체 제작 방법
10 10
삭제
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