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공정 지지 기판을 준비하는 단계;상기 공정 지지 기판의 일 부분을 3차원 구조의 형태로 식각, 제거하는 단계;상기 공정 지지 기판 전면 상에 제 1 도전층, 제 2 도전층을 순차적으로 적층하는 단계;상기 공정 지지 기판의 표면이 드러나도록 상기 제 1 및 제 2 도전층을 평탄화하여 제 1 및 제 2 미세 전극으로 구성되는 미세 전극을 형성하는 단계;상기 미세 전극을 포함한 공정 지지 기판 전면 상에 제 1 고분자 물질층을 적층하고 상기 미세 전극의 표면이 드러나도록 상기 제 1 고분자 물질층을 선택적으로 패터닝하는 단계;상기 제 1 고분자 물질층 상에 제 3 도전층을 적층하고 선택적으로 패터닝하여 미세 금속선을 형성하는 단계;상기 미세 금속선을 포함한 상기 공정 지지 기판 전면 상에 제 2 고분자 물질층을 적층한 다음, 상기 미세 금속선의 일 표면이 드러나도록 상기 제 2 고분자 물질층을 패터닝하여 패드를 형성하는 단계; 및상기 공정 지지 기판을 식각, 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 3차원 미세 전극 어레이 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 도전층은 동일한 물질이거나 서로 다른 재질인 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 미세 전극 어레이 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 도전층은 금, 백금, 니켈, 알루미늄, 구리, 이리듐, 이리듐 옥사이드, ITO(Indium Tin Oxide), 폴리피롤(Poly pyrrole), 불순물이 고농도로 도핑된 다결정 실리콘 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 미세 전극 어레이 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 공정 지지 기판의 식각, 제거된 형태는 피라미드구조, 프리즘 구조, 사면체구조, 오면체구조, 다면체구조, 사각기둥구조, 오각기둥구조, 육각기둥구조, 다각기둥구조, 원기둥구조 또는 원뿔구조인 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 미세 전극 어레이 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 고분자 물질층은 동일한 물질로 구성되거나 서로 다른 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 미세 전극 어레이 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 고분자 물질층은 PDMS(Poly dimethyl siloxane), 폴리 카보네이트(Poly carbonate), PMMA(Poly methyl methacrylate), COC(Cyclo olefin copolymer), 폴리이미드(Polyimide), 파릴린(Parylene) 중 어느 하나로 구성되거나 이들의 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 미세 전극 어레이 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 도전층은 도금 공정을 이용하며, 상기 도금 공정은, 상기 공정 지지 기판 전면 상에 제 1 도전층을 시드층으로 적층하는 과정과,상기 제 1 도전층 상에 상기 제 2 도전층을 도금하여 적층하는 과정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 미세 전극 어레이 제조방법
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