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구리 전해 도금 용액 및 이를 이용한 반도체 소자의 배선형성방법

  • 기술번호 : KST2015159672
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 구리 전해 도금 용액 및 이를 이용한 반도체 소자의 배선 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 용액에는 단일 공정에서 수퍼필링과 레벨링이 이루어지도록 1μM ~ 30μM 농도의 N,N-디메틸 디티오카르바믹 산(3-설포프로필)에스테르(N,N-Dimethyldithiocarbamic acid(3-sulfopropyl)ester)(DPS)가 포함되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 구리 전해도금 용액의 유기 첨가제로서 SPS 대신에 저농도의 DPS를 이용함으로써 도금 공정 중 추가적인 공정없이 수퍼필링과 레벨링을 얻을 수 있으므로 공정 단순화와 후속 CMP 공정에서의 균일한 구리 배선 형성의 효과를 얻을 수 있다.구리, 배선, 전해 도금, 수퍼필링, 레벨링, DPS, SPS
Int. CL C25D 3/38 (2006.01)
CPC C25D 3/38(2013.01) C25D 3/38(2013.01) C25D 3/38(2013.01)
출원번호/일자 1020070042775 (2007.05.02)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0865748-0000 (2008.10.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081028) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.02)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재정 대한민국 서울 관악구
2 조성기 대한민국 경기 구리시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0330836-93
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0017578-97
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0212051-16
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0448263-54
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0520752-94
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 소자의 금속 배선 형성용 구리 전해 도금 용액에 있어서,단일 공정에서 수퍼필링과 레벨링이 이루어지도록 상기 용액에는 1μM ~ 30μM 농도의 N,N-디메틸 디티오카르바믹 산(3-설포프로필)에스테르(N,N-Dimethyldithiocarbamic acid(3-sulfopropyl)ester)(DPS)가 포함되는 것을 특징으로 하는 구리 전해 도금 용액
2 2
제 1항에 있어서, 상기 용액에는 상기 DPS, 폴리에틸렌글리콜(PEG), 염화나트륨(NaCl), 황산구리 용액 및 황산 용액이 포함되는 것을 특징으로 하는 구리 전해 도금 용액
3 3
제 2항에 있어서, 상기 폴리에틸렌글리콜(PEG)의 농도는 50μM ~ 200μM 이고, 상기 염화나트륨(NaCl)의 농도는 0
4 4
반도체 기판 상에 구리 씨앗층을 형성하는 단계와;상기 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 따른 구리 전해 도금 용액을 이용하여 상기 반도체 기판에 구리 전해 도금을 실시하는 단계와;상기 구리 전해 도금으로 배선이 형성된 상기 반도체 기판을 세척하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선 형성방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 구리 전해 도금을 실시하는 단계에서 인가되는 전압은 SCE(Saturated Calomel Electrode) 대비 -150㎷ ~ -300㎷인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선 형성방법
6 6
제 4항에 있어서, 상기 구리 전해 도금을 실시하는 단계에서 인가되는 전류는 1mA/cm2 ~ 10mA/cm2인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.