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전기이중층 커패시터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015159758
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전기이중층 커패시터의 제조방법이 제공된다. 이에 따르면, 먼저, 흑연 소재를 산화시킨다. 상기 산화된 흑연 소재를 열처리한다. 상기 열처리된 흑연 소재를 이용하여 전극을 형성한다. 상기 전극 및 전해질을 포함하는 커패시터 셀을 제조한다. 상기 셀에 전압을 인가하여 전극을 전기화학적으로 활성화시킨다. 이에 따르면, 전기이중층 커패시터의 축전용량, 에너지 밀도 및 출력 밀도를 증가시킬 수 있다.
Int. CL H01G 11/86 (2013.01) H01G 11/84 (2013.01)
CPC H01G 11/60(2013.01) H01G 11/60(2013.01) H01G 11/60(2013.01) H01G 11/60(2013.01)
출원번호/일자 1020070093058 (2007.09.13)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0914643-0000 (2009.08.24)
공개번호/일자 10-2009-0027885 (2009.03.18) 문서열기
공고번호/일자 (20090828) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.13)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오승모 대한민국 경기 안양시 동안구
2 가복현 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0664226-41
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.06.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0046023-49
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0631897-75
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0096841-67
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0155658-25
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0155667-36
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0259071-98
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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흑연 소재를 산화시키는 단계; 상기 산화된 흑연 소재를 열처리하는 단계; 상기 열처리된 흑연 소재를 이용하여 전극을 형성하는 단계; 상기 전극 및 전해질을 포함하는 커패시터 셀을 제조하는 단계; 및 상기 커패시터 셀을 전기화학적으로 활성화하는 단계를 포함하며, 상기 전해질은 용매, 양이온 및 음이온을 포함하고, 상기 용매는 프로필렌 카르보네이트(propylene carbonate), 에틸렌 카르보네이트(ethylene carbonate), 술포란(sulfolane), 아세토니트릴(acetonitrile), 1,2-부틸렌 카르보네이트(1,2-butylene carbonate), γ-부티로락톤(γ-butyrolactone), 디메틸카르보네이트(dimethylcarbonate), 디에틸카르보네이트(diethylcarbonate), 에틸메틸카르보네이트(ethylmethylcarbonate), 디메틸에테르(dimethylether), 디에틸에테르(diethylether) 및 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하고, 상기 양이온은 테트라메틸암모늄(tetramethylammonium), 에틸트리메틸암모늄(ethyltrimethylammonium), 디에틸디메틸암모늄(diethyldimethylammonium), 트리에틸메틸암모늄(triethylmethylammonium), 테트라에틸암모늄(tetraethylammonium), 디메틸피롤리듐(dimethylpyrrolidium), 에틸메틸피롤리듐(ethylmethylpyrrolidium), 디에틸피롤리듐(diethylpyrrolidium), 스피로바이피롤리듐(spiro-bipyrrolidium), 피페리딘-스피로-리롤리듐(piperidine-spiro-pyrrolidium), 스피로-바이피페리디늄(spiro-bipiperidinium), 1-에틸-3-메틸-이미다졸륨(1-ethyl-3-methyl-imidazolium), 1,2-디메틸-3-프로필이미다졸륨(1,2-dimethyl-3-propylimidazolium), 1,2-디에틸-3,5-디메틸이미다졸륨(1,2-diethyl-3,5-dimethylimidazolium), 트리메틸-n-헥실암모늄 (trimethyl-n-hexylammonium), N-부틸-N-메틸피롤리듐(N-butyl-N-methylpyrrolidinium), N-메틸-N-프로필피페리디늄(N-methyl-N-propylpiperidinium) 및 N-에틸-N-메틸모르포늄 (N-ethyl-N-methylmorpholinium)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하고, 상기 음이온은 4플루오르화붕산 이온(BF4), 6플루오르화인산 이온(PF6), 과염소산 이온(ClO4), 6플루오르화비소 이온(AsF6), 트리플루오로메탄 설포네이트(trifluoromethanesulfonate), 비스(트리플루오로메탄설포닐)이미드(bis(trifluromethanesulfonyl)imide), 비스(펜타플로오로에탄설포닐)이미드(bis(pentafluoroethanesulfonyl)imide), 비스(플루오로설포닐)이미드(bis(fluorosulfonyl)imide), 2,2,2-트리플루오로-N-(트리플루오로메탄설포닐)아세트아미드(2,2,2-trifluoro-N-(trifluoromethanesulfonyl)acetamide), 펜타플루오로에탄 트리플루오로보레이트(pentafluoroethane trifluoroborate) 및 트리(펜타플로오로에탄) 트리플루오로포스페이트(tri(pentafluoroethane)trifluorophosphate)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기이중층 커패시터의 제조방법
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제1 항에 있어서, 상기 흑연 소재는 천연 흑연, 인조 흑연, 흑연성 탄소(graphitic carbon) 및 메조카본 마이크로비드(meso-carbon micro-bead)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기이중층 커패시터의 제조방법
3 3
제1 항에 있어서, 상기 흑연 소재를 산화시키는 단계는 알코올 및 아세톤으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 침투제를 상기 흑연 소재에 가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기이중층 커패시터의 제조방법
4 4
제1 항에 있어서, 상기 흑연 소재를 산화시키는 단계는 30 내지 80 ℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기이중층 커패시터의 제조방법
5 5
제1 항에 있어서, 상기 흑연 소재를 산화시키는 단계는 2 내지 30 atm의 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기이중층 커패시터의 제조방법
6 6
제1 항에 있어서, 상기 열처리 단계는 약 150 내지 약 800℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기이중층 커패시터의 제조방법
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제1 항에 있어서, 상기 전극을 형성하는 단계는, 상기 흑연소재, 도전재 및 결합재를 포함하는 슬러리를 준비하는 단계; 상기 슬러리를 집전체에 도포하는 단계; 및 상기 슬러리를 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기이중층 커패시터의 제조방법
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제7 항에 있어서, 상기 도전재는 카본 블랙을 포함하고, 상기 결합재는 폴리비닐리덴 플루오라이드(PVDF), 카르복시메틸 셀룰로오스(CMC), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리에틸렌(PE) 및 폴리프로필렌(PP)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기이중층 커패시터의 제조방법
9 9
삭제
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제1 항에 있어서, 상기 커패시터 셀을 고전압으로 충전시켜 전기화학적으로 활성화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기이중층 커패시터의 제조방법
11 11
제10 항에 있어서, 상기 커패시터 셀을 고전압으로 충전시키는 단계는 3
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.