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특정 음극 발광 특성의 산화마그네슘 미세입자를 포함하는 플라스마 소자

  • 기술번호 : KST2015159928
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 특정 음극 발광 특성의 산화마그네슘 미세입자를 포함하는 플라스마 소자에 관한 것으로서, 파장 영역 300 nm 이하에서 음극 발광 피크를 갖지 않으며, 350∼500 nm 사이에 음극 발광 피크를 갖고, 550∼650 nm와 700∼800 nm 사이에 적어도 하나 이상의 음극 발광 피크를 갖는 산화마그네슘 미세입자를 전면 기판과 배면 기판 사이의 방전 공간에 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 플라스마 소자는, 낮은 방전전압 및 짧은 방전 지연 시간 등의 향상된 방전 특성을 나타낸다.
Int. CL H01J 11/40 (2006.01) H01J 9/24 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080019294 (2008.02.29)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0984047-0000 (2010.09.17)
공개번호/일자 10-2008-0110457 (2008.12.18) 문서열기
공고번호/일자 (20100930) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070059077   |   2007.06.15
미국  |   12/024,407   |   2008.02.01
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020100056511;
심사청구여부/일자 Y (2008.03.07)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최만수 대한민국 서울 송파구
2 김창혁 대한민국 서울특별시 관악구
3 신승하 대한민국 서울특별시 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 김애라 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** (역삼동, 한신인터밸리**) 서관 ***호(테라아이피씨특허법률사무소)
3 이현실 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.02.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0153385-85
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0169340-50
3 보정요구서
Request for Amendment
2008.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0039188-38
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.04.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0267606-76
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2008-0267628-70
6 [우선권증명서류]서류제출서
[Certificate of Priority] Submission of Document
2008.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-5029247-01
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.05.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.06.18 수리 (Accepted) 9-1-2009-0037648-98
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0443172-17
10 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2009.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0765201-71
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0802487-13
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.01.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0056933-56
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0056900-50
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0159526-61
15 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2010.05.10 수리 (Accepted) 7-1-2010-0019678-91
16 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2010.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0383662-69
17 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2010.07.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0029701-33
18 등록결정서
Decision to grant
2010.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0340961-11
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
방전 공간을 사이에 두고 서로 대향하는 전면 기판 및 배면 기판, 상기 기판 각각에 내접한 전극, 상기 전극 각각을 피복하는 유전체층, 상기 유전체층 중 전면부 유전체층의 표면에 MgO 보호층, 및 상기 MgO 보호층 위에, 파장 영역 300 nm 이하에서 음극 발광 피크를 갖지 않으며, 350∼500 nm 사이에 음극 발광 피크를 갖고, 550∼650 nm와 700∼800 nm 사이에 적어도 하나 이상의 음극 발광 피크를 갖는, 망간 성분을 함유하는 입자 크기 5 nm 내지 1 ㎛ 미만의 산화마그네슘 미세입자의 미세입자층을 포함하는, 플라스마 소자
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 방전 공간에 형광체층을 포함하고, 상기 산화마그네슘 미세입자를 상기 형광체층의 내부에 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 플라스마 소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 산화마그네슘 미세입자가 마그네슘 분말 또는 화합물을 산소 분위기하에서 연소시키거나, 또는 망간 분말 또는 화합물과 마그네슘 분말 또는 화합물의 혼합물을 산소 분위기하에서 연소시켜 얻어진 것임을 특징으로 하는, 플라스마 소자
8 8
삭제
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1 JP2008311203 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 KR20100071960 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
3 US2008309238 US 미국 DOCDBFAMILY
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