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항균성 고분자 조성물 및 이를 이용한 항균성 고분자막의형성 방법

  • 기술번호 : KST2015160028
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 항균 활성이 우수한 항균성 고분자 조성물 및 이를 이용한 항균성 고분자막의 형성 방법에 있어서, 항균성 고분자 조성물은 하기 구조식 1로 표시되는 반복단위를 가지는 구리 함유 고분자 및 유기 용매를 포함하고, 환원 처리를 통해 미생물에 대한 항균성을 지닌다. ......(1) (상기 구조식 1에서, R1은 수소 원자 또는 C1-C10 알킬기를 나타내고, R2는 전자 공여 작용기(electron donating group)이거나 혹은 상기 전자 공여 작용기를 말단에 구비하는 지방족 또는 방향족 탄화수소 사슬을 나타내고, Z는 구리에 배위하는 리간드 결합 작용기 혹은 리간드 결합 화합물을 나타내며, n은 1 내지 10,000의 정수이다)
Int. CL C08L 43/00 (2006.01) C08F 30/04 (2006.01) C08J 5/22 (2006.01)
CPC C08L 43/00(2013.01) C08L 43/00(2013.01) C08L 43/00(2013.01) C08L 43/00(2013.01)
출원번호/일자 1020080049702 (2008.05.28)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0918807-0000 (2009.09.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090925) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.28)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허근 대한민국 서울특별시 성북구
2 이종찬 대한민국 서울 서초구
3 윤제용 대한민국 서울특별시 서초구
4 박희진 대한민국 경상남도 거제시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0382136-38
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.06.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0073500-89
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0415344-92
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0014755-92
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0239197-73
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0466661-79
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0466675-18
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0330059-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 구조식 1로 표시되는 반복단위를 가지는 구리 함유 고분자 및 유기 용매를 포함하고, 환원 처리를 통해 미생물에 대한 항균성을 지니는 항균성 고분자 조성물
2 2
제1항에 있어서, 상기 전자 공여 작용기는 카르보닐옥시기(-COO-), 카르보닐아미노기(-CONH-) 및 카르보닐티오기(-COS-)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 항균성 고분자 조성물
3 3
제1항에 있어서, 상기 구조식 1의 Z는 시아노기, 티오시아네이토기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알킬시아노기, 아릴시아노기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬아미노기, 디알킬아미노기, 아릴아미노기 또는 디아릴아미노기이거나, 구리에 배위하는 적어도 하나의 이중 결합 또는 삼중 결합을 구비하는 지방족 또는 방향족 탄화수소 화합물인 것을 특징으로 하는 항균성 고분자 조성물
4 4
제1항에 있어서, 상기 구리 함유 고분자는 하기 구조식 2 또는 3으로 표시되는 반복단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 항균성 고분자 조성물
5 5
제4항에 있어서, 상기 구조식 2 및 3의 Z는 씨클로헥센, 씨클로옥타디엔, 씨클로펜타디엔, 부타디엔, 펜타디엔, 헥사디엔 또는 옥타디엔인 것을 특징으로 하는 항균성 고분자 조성물
6 6
제1항에 있어서, 상기 구리 함유 고분자는 상기 구조식 1의 반복단위와, 올레핀, 스티렌, (메타)아크릴산 에스테르, (메타)아크릴아마이드, 이타콘산 디에스테르, 말레산 에스테르, 푸마르산 디에스테르, N-알킬말레이미드, 무수 말레산, 아크릴로니트릴, 비닐에테르, 비닐에스테르, 비닐케톤, 비닐 헤테로고리 화합물, 글리시딜에스테르, 불포화 니트릴 및 불포화 카르복시산으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 단량체에서 기인하는 반복단위를 포함하는 공중합체인 것을 특징으로 하는 항균성 고분자 조성물
7 7
제1항에 있어서, 상기 항균성 고분자 조성물은 안료, 염료, 보강제, 충진제, 내열안정제, 내후안정제, 대전방지제, 활제, 슬립제 및 핵제로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 항균성 고분자 조성물
8 8
하기 구조식 1로 표시되는 반복단위를 가지는 구리 함유 고분자 및 유기 용매를 포함하는 고분자 조성물을 적용하여 대상체 상에 구리 함유 고분자막을 형성하는 단계; 및 상기 구리 함유 고분자막을 환원제를 사용한 화학적 환원법, 열 환원법 또는 광 환원법에 의하여 환원 처리하여 상기 구리 함유 고분자막에 미생물에 대한 항균성을 부여하는 단계를 포함하는 항균성 고분자막의 형성 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 구리 함유 고분자막을 환원 처리하는 단계는 상기 구리 함유 고분자를 150 내지 220℃의 온도에서 열처리하여 수행되는 것을 특징으로 하는 항균성 고분자막의 형성 방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 구리 함유 고분자막을 환원 처리하는 단계는 상기 구리 함유 고분자를 환원제로 습식 처리하여 수행되는 것을 특징으로 하는 항균성 고분자막의 형성 방법
11 11
제8항에 있어서, 상기 구리 함유 고분자막을 환원 처리하는 단계는 상기 구리 함유 고분자에 광을 조사하여 수행되는 것을 특징으로 하는 항균성 고분자막의 형성 방법
12 12
제8항에 있어서, 상기 항균성 고분자막은 대장균(Escherichia coli)에 대한 살균력을 지니는 것을 특징으로 하는 항균성 고분자막의 형성 방법
13 13
제8항에 있어서, 상기 대상체는 섬유, 직물, 플라스틱 소재, 무기성 소재, 금속성 소재 또는 목재를 포함하는 것을 특징으로 하는 항균성 고분자막의 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.