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양의 바이어스 전극에 의한 인출구 주변 국부 방전을 이용한 고휘도 플라즈마 이온빔 발생장치

  • 기술번호 : KST2015160503
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 집속이온빔 장치에 적용되는 고휘도 이온원에 관한 것으로, 불활성종 및 다양한 종류의 이온빔 생성과 대면적 플라즈마를 통해 다중 이온빔 인출시스템 구현이 가능한 고휘도 플라즈마 이온원 장치에 관한 것이다. 특히 마이크로사이즈의 인출구가 가공된 양의 바이어스 전극을 설치하여 인출구 주위에 추가적인 방전을 일으키고 그에 따라 국부적으로 발생한 고밀도 플라즈마를 이용하여, 기존 플라즈마 이온원의 빔 손실에 따른 문제를 억제한 새로운 고휘도 이온빔을 인출하는 방법에 관한 것이다.
Int. CL H05H 3/02 (2006.01) H05H 1/34 (2006.01) H05H 1/24 (2006.01)
CPC H01J 37/32532(2013.01) H01J 37/32532(2013.01) H01J 37/32532(2013.01) H01J 37/32532(2013.01) H01J 37/32532(2013.01) H01J 37/32532(2013.01) H01J 37/32532(2013.01) H01J 37/32532(2013.01) H01J 37/32532(2013.01) H01J 37/32532(2013.01)
출원번호/일자 1020070010999 (2007.02.02)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0894437-0000 (2009.04.15)
공개번호/일자 10-2008-0072355 (2008.08.06) 문서열기
공고번호/일자 (20090422) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.02.02)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황용석 대한민국 서울 서초구
2 김윤재 대한민국 서울 송파구
3 박용신 대한민국 서울특별시 강남구
4 박동희 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김병주 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)
2 김성헌 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** 비봉빌딩 *층(장백국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2007.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-5012137-55
2 특허출원서
Patent Application		 2007.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0102444-62
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.01.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0000529-73
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0087374-47
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0282174-40
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0361821-69
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0449485-51
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0523147-59
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0523146-14
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0566305-65
13 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2008.12.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0057031-04
14 등록결정서
Decision to grant		 2009.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0021421-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
이온빔 인출 전극 장치로서, 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부와 플라즈마를 고전압으로 부유시키는 플라즈마 전극(6)과;상기 플라즈마 전극으로부터 일정거리 이격되어 있으며 이온빔이 인출되는 접지 전극 인출구가 형성된 접지 전극(8)과;상기 접지 전극과 상기 플라즈마 전극사이에 형성되며 고밀도 플라즈마를 만들기 위해 유전체로 일부가 가려진 채 플라즈마와 대면하고 있는 바이어스 전극을 포함하여 상기 플라즈마 전극의 플라즈마 전위보다 10볼트 초과 1000볼트 미만 사이로 높게 부유된 양전압이 인가되고 상기 바이어스 전극에 형성되는 인출구는 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 바이어스 전극은 상기 바이어스 전극에 인가된 양의 전압에 의해 가속되어진 전자들이 상기 바이어스 전극 인출구 주변의 중성입자들을 이온화하여 인출구 주변과 인출구 안쪽에 고밀도의 새로운 플라즈마를 형성하게 할 수 있게 하기 위하여 문턱전압 이상의 전압이 인가된 것을 특징으로 하는, 이온빔 인출 전극 장치
3 3
제1항에 있어서, 상기 이온빔 인출 전극 장치는 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생부를 더 포함하고 상기 플라즈마 발생부는 고주파 플라즈마가 생성되는 챔버와;상기 챔버의 상부에 평판형으로 형성된 유전체와;상기 챔버와 상기 유전체의 상부에 위치하여 상기 챔버의 주위로 감긴 외측안테나를 포함하며, 플라즈마 전위는 플라즈마가 발생되어 가두어진 도체 챔버를 기준으로 결정되는데 상기 챔버와 플라즈마 전극을 접합시킴으로써 플라즈마 전위와 도체 챔버의 전위차를 줄임으로써 플라즈마 전위를 낮추고 이온에너지 편차를 줄이는 역할을 하도록 한 것을 특징으로 하는, 이온빔 인출 전극 장치
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이온빔 인출 전극 장치는 하나 이상의 바이어스 전극 인출구와 접지 전극 인출구가 형성된 것을 특징으로 하는, 이온빔 인출 전극 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.