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개선된 금속 전구체 공급 및 퍼지 단계를 갖는 박막 증착방법

  • 기술번호 : KST2015160590
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개선된 금속 전구체 공급 및 퍼지 단계를 갖는 박막 증착 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 박막 증착 방법은, 금속 전구체를 공급하는 단계 및 퍼지하는 단계로 이루어진 과정을 연속적으로 2회 이상 반복하는 금속 전구체 공급 및 퍼지 단계; 및 상기 금속 전구체 분해를 위한 반응가스를 공급하는 단계 및 퍼지하는 단계로 이루어진 반응가스 공급 및 퍼지 단계;를 1 사이클로 하되, 상기 사이클을 1회 이상 반복하여 박막을 증착하는 것이다. 본 발명에 따른 박막 증착 방법 중 금속 전구체 공급 및 퍼지 단계는 종래 원자층 증착(ALD) 방법에 비하여 개선된 것으로, 본 발명에 의하면 박막 증착 속도가 향상되어, 종래에 비하여 원하는 두께의 박막을 획득하기 위한 시간을 상당히 줄일 수 있으며, 또한, 금속 전구체의 소모가 적다.
Int. CL H01L 21/203 (2006.01)
CPC C23C 16/45527(2013.01)
출원번호/일자 1020070000964 (2007.01.04)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0064259 (2008.07.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.12)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황철성 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 박태주 대한민국 서울특별시 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2007-0009096-61
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0982879-32
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.03 수리 (Accepted) 9-1-2013-0022687-45
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0366470-17
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0541140-61
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 전구체를 공급하는 단계 및 퍼지하는 단계로 이루어진 과정을 연속적으로 2회 이상 반복하는 금속 전구체 공급 및 퍼지 단계; 및상기 금속 전구체 분해를 위한 반응가스를 공급하는 단계 및 퍼지하는 단계로 이루어진 반응가스 공급 및 퍼지 단계;를 1 사이클로 하되, 상기 사이클을 1회 이상 반복하여 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속 전구체 공급 및 퍼지 단계 중의 금속 전구체를 공급하는 단계의 총 수행 시간은 대응되는 금속 전구체 공급 및 퍼지 단계 중의 금속 전구체 공급 시간과 동일하고, 상기 금속 전구체 공급 및 퍼지 단계 중의 금속 전구체를 퍼지하는 단계의 총 수행 시간은 대응되는 금속 전구체 공급 및 퍼지 단계 중의 퍼지 시간과 동일한 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 금속 전구체 공급 및 퍼지 단계 중의 금속 전구체를 공급하는 단계의 1회 수행 시간은 0
4 4
반도체 기판이 로딩된 반응기 내부로 금속 전구체를 공급하여 상기 반도체 기판 표면에 상기 금속 전구체를 화학적 흡착 및 물리적 흡착시키는 단계; 및상기 반응기 내부로 불활성 가스를 공급하여 미흡착 금속 전구체 및 물리적 흡착된 금속 전구체를 제거함으로써 상기 반도체 기판 표면에 화학적 흡착이 가능한 사이트가 있으면 노출시키는 단계;로 이루어진 과정을 연속적으로 2회 이상 반복하여 상기 반도체 기판 표면에 화학적 흡착된 금속 전구체 단원자층을 고밀도로 형성하는 금속 전구체 공급 및 퍼지 단계; 상기 금속 전구체 분해를 위한 반응가스를 상기 반응기 내로 공급하여 상기 반도체 기판 표면에 흡착된 금속 전구체와 반응시키는 단계; 및 상기 반응기 내부로 불활성 가스를 공급하여 미반응 반응가스 및 반응 부산물을 제거하는 단계; 를 1 사이클로 하되, 상기 사이클을 1회 이상 반복하여 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.