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발광 소자, 그리고 구동 전압과 상기 발광 소자 사이에 연결되어 상기 발광 소자에 구동 전류를 공급하는 제1 및 제2 구동 트랜지스터 를 포함하고, 상기 제1 및 제2 구동 트랜지스터의 제어 단자에 동일한 제어 전압 또는 서로 다른 극성의 제어 전압이 인가되며, 상기 제1 구동 트랜지스터의 제어 단자 전극은 반도체 하부에 배치되어 있으며, 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어 단자 전극은 상기 반도체 상부에 배치되어 있는 표시 장치
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제1항에서, 상기 제1 및 제2 구동 트랜지스터의 제어 단자에 연결되어 있는 축전기, 그리고 주사 신호에 따라 데이터 전압을 상기 축전기에 전달하는 스위칭 트랜지스터 를 더 포함하고, 상기 제1 및 제2 구동 트랜지스터의 제어 단자는 서로 연결되어 있는 표시 장치
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제1항에서, 상기 제1 및 제2 구동 트랜지스터의 제어 단자에 각각 인가되는 제1 및 제2 제어 전압은 프레임마다 극성이 바뀌는 표시 장치
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제1항에서, 상기 제1 구동 트랜지스터의 제어 단자에 연결되어 있으며, 제1 제어 전압을 충전하여 상기 제1 구동 트랜지스터의 제어 단자에 인가하는 제1 축전기, 그리고 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어 단자에 연결되어 있으며, 제2 제어 전압을 충전하여 상기 제2 구동 트랜지스터의 제어 단자에 인가하는 제2 축전기 를 더 포함하는 표시 장치
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제4항에서, 주사 신호에 따라 상기 제1 축전기에 제1 데이터 전압을 전달하는 제1 스위칭 트랜지스터, 그리고 상기 주사 신호에 따라 상기 제2 축전기에 제2 데이터 전압을 전달하는 제1 스위칭 트랜지스터 를 더 포함하는 표시 장치
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제5항에서, 상기 제1 및 제2 데이터 전압은 서로 다른 극성을 가지는 표시 장치
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제6항에서, 상기 제1 및 제2 데이터 전압은 프레임마다 극성이 바뀌는 표시 장치
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제4항에서, 제1 주사 신호에 따라 상기 제1 축전기에 제1 데이터 전압을 전달하는 제1 스위칭 트랜지스터, 상기 제1 주사 신호에 따라 상기 제2 축전기에 제2 데이터 전압을 전달하는 제2 스위칭 트랜지스터, 제2 주사 신호에 따라 상기 제1 축전기에 상기 제2 데이터 전압을 전달하는 제3 스위칭 트랜지스터, 그리고 상기 제2 주사 신호에 따라 상기 제2 축전기에 상기 제1 데이터 전압을 전달하는 제4 스위칭 트랜지스터 를 더 포함하는 표시 장치
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제8항에서, 상기 제1 및 제2 데이터 전압은 서로 다른 극성을 가지는 표시 장치
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제9항에서, 상기 제1 및 제2 주사 신호는 서로 다른 프레임에서 활성화되는 표시 장치
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에서, 상기 제1 및 제2 구동 트랜지스터는 비정질 규소 박막 트랜지스터인 표시 장치
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에서, 상기 제1 및 제2 구동 트랜지스터는 nMOS 박막 트랜지스터인 표시 장치
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에서, 상기 발광 소자는 유기 발광층을 포함하는 표시 장치
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기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 제어 전극, 상기 제1 제어 전극 위에 형성되어 있는 절연막, 상기 절연막 위에 형성되어 있는 반도체, 상기 반도체 위에 형성되어 있는 입력 전극 및 출력 전극, 상기 입력 전극 및 상기 출력 전극 위에 형성되어 있는 보호막, 그리고 상기 보호막 위에 형성되어 있는 제2 제어 전극 을 포함하며, 상기 제1 및 제2 제어 전극에 서로 다른 극성의 제1 및 제2 제어 전압이 각각 인가되는 표시 장치
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제14항에서, 상기 제1 및 제2 제어 전압은 프레임마다 극성이 바뀌는 표시 장치
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제14항에서, 상기 반도체와 상기 보호막 사이에 형성되어 있는 에치 스토퍼를 더 포함하는 표시 장치
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