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박막트랜지스터 제조방법

  • 기술번호 : KST2015160802
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 특히 소스/드레인 어닐링 공정 시 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 소스/드레인 접합부에 발생하는 결정결함을 방지하는 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 소스/드레인 어닐링 시, 레이저광을 비스듬하게 기울여서 조사하는 OI-ELA(Oblique Incidence Excimer Laser Annealing) 방법을 제시함으로써 소스/드레인 접합부에도 레이저 에너지를 충분히 전달하여 접합부 결정 결함이 없는 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제작이 가능하다. 따라서, 박막트랜지스터의 ON/OFF 스위칭 특성이 우수하며, 장시간 구동에 대해서도 추가의 트랩 상태 생성이 적기 때문에 특성이 안정적으로 나타나는 장점이 있다. 다결정 실리콘, 박막트랜지스터, 접합부 결정결함, 회절암영, 사선입사
Int. CL G02F 1/136 (2006.01)
CPC G02F 1/136(2013.01) G02F 1/136(2013.01) G02F 1/136(2013.01) G02F 1/136(2013.01) G02F 1/136(2013.01) G02F 1/136(2013.01)
출원번호/일자 1020020084935 (2002.12.27)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0537729-0000 (2005.12.13)
공개번호/일자 10-2004-0058600 (2004.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20051219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.12.27)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한민구 대한민국 서울 강남구
2 박기찬 대한민국 경기도 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이건주 대한민국 서울 종로구 명륜동*가 ***-* 미화빌딩 이건주특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2002-0432019-94
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document
2002.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2002-5306249-49
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.07.13 수리 (Accepted) 4-1-2004-0029417-26
4 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2004.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-5140074-87
5 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent
2004.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2004-0453395-41
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2004-0074901-74
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0006471-32
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2005-0120295-08
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2005-0176672-53
11 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0227277-17
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.06.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0300261-23
13 의견서
Written Opinion
2005.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2005-0300262-79
14 등록결정서
Decision to grant
2005.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0457375-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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반도체 박막, 예정된 채널 영역의 상기 반도체 박막의 표면과 접촉하여 형성되는 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막 상에 배치되는 게이트전극을 포함하는 적층 구조를 갖고, 소정의 평면 기판 상에 형성되는 박막트랜지스터 제조방법에 있어서,비정질 또는 비교적 작은 입자 크기를 갖는 다결정 실리콘으로 이루어진 상기 반도체 박막 형성 후, 상기 비정질 또는 다결정 실리콘을 비교적 큰 입자 크기를 갖는 다결정 실리콘으로 변환하도록 레이저광으로 1차 조사하는 과정과,상기 박막트랜지스터의 소스/드레인 도핑을 위한 도펀트 주입 후, 상기 도펀트의 활성화 및 소스/드레인 실리콘 박막의 재결정화를 위해 레이저광으로 2차 조사하는 과정을 포함하며, 상기 레이저광으로 2차 조사하는 과정은 상기 레이저광의 회절에 의한 회절암영이 상기 소스/드레인 접합부를 가리지 않도록 레이저광을 비스듬히 기울여 사선으로 조사하며,상기 레이저광의 기울임 정도는 상기 게이트전극의 두께, 상기 게이트 절연막의 두께 및 상기 실리콘 박막의 두께에 의해 결정되며, 5° 내지 75°범위인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.