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박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
- 기술번호 : KST2015134950
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 주석(Sn)과, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 및 타이타늄(Ti) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물 박막을 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터는 주석(Sn)과 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 및 타이타늄(Ti) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물로 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 배치되는 게이트 절연막을 통하여 상기 활성층의 적어도 일부와 중첩되는 게이트 도전막; 및 상기 게이트 도전막에 의해 이격된 상기 활성층의 양 측부들에 각각 접속되는 소오스 및 드레인 전극들을 포함한다. |
|---|---|
| Int. CL | G02F 1/136 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020080109060 (2008.11.04) |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1023338-0000 (2011.03.10) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0049990 (2010.05.13) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20110318) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.11.04) |
| 심사청구항수 | 19 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김형준 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
| 2 | 허명수 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 3 | 양봉섭 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김권석 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.11.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0765325-99 |
| 2 | [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서 [Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document |
2008.11.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-5054921-42 |
| 3 | 보정요구서 Request for Amendment |
2008.11.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2008-0125547-77 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2008.11.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0781569-97 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.02.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.03.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0018303-86 |
| 7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.05.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0200351-20 |
| 8 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2010.06.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0405764-23 |
| 9 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2010.07.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0446492-15 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.08.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0517749-97 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.08.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0517748-41 |
| 12 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.12.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0599495-31 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 주된 매트릭스를 구성하는 원소인 주석(Sn)과, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 및 타이타늄(Ti)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합인 첨가 원소를 포함하는 산화물로 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 배치되는 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 활성층의 일부 또는 전부와 중첩되는 게이트 도전막; 및 상기 게이트 도전막에 의해 이격된 상기 활성층의 양 측부들에 각각 접속되는 소오스 및 드레인 전극들을 포함하는 박막 트랜지스터 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는 상기 활성층 상에 순차대로 상기 게이트 절연막 및 게이트 도전막이 형성되는 상부 게이트 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트 도전막 상에 순차대로 상기 게이트 절연막 및 상기 활성층이 형성되는 하부 게이트 구조를 갖는 것을 특징으로 박막 트랜지스터 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인 전극들 중 어느 하나 또는 이들 모두는 투명 도전성 산화물 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서, 상기 투명 도전성 산화물 박막은, 인듐-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide; ITO), 불화 주석 산화물(Fluorinated tin Oxide; FTO), 인듐 산화물(indium oxide; IO) 및 주석 산화물(tin oxide; SnO2) 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 활성층 내의 상기 주석(Sn) : 상기 첨가 원소의 몰비는 1 : 0 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 활성층은 비정질 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서, 상기 활성층의 일부 또는 전부는 상기 비정질 구조 내에 SnO 마이크로 결정 조직을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 실리콘 산화물, 또는 Hf, Y, Al, Ta, Sn으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 산화물 또는 질화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 알루미늄 산화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서, 상기 활성층은 상기 주석과 알루미늄의 산화물로 형성되고, N 형 증가형으로 동작하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
| 12 |
12 활성층 상에 배치되는 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 활성층의 일부 또는 전부와 중첩되는 게이트 도전막; 및 상기 게이트 도전막에 의해 이격된 상기 활성층의 양 측부들에 각각 접속되는 소오스 및 드레인 전극들을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법으로서, 상기 박막 트랜지스터가 형성될 기판을 제공하는 단계; 및 상기 기판 상에 주된 매트릭스를 구성하는 원소인 주석(Sn)과, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 및 타이타늄(Ti)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합인 첨가 원소를 포함하는 산화물로 형성된 활성층을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서, 상기 활성층을 형성하는 단계 이후에, 상기 활성층 상에 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 절연막 상에 상기 게이트 도전막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 14 |
14 제 12 항에 있어서, 상기 활성층을 형성하는 단계 이전에, 상기 기판 상에 상기 게이트 도전막을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 도전막 상에 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 15 |
15 제 12 항에 있어서, 상기 활성층을 형성하는 단계는 솔겔법, 전자빔 증착법, 레이저 융착법 또는 스퍼터링법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 16 |
16 제 12 항에 있어서, 상기 활성층을 형성하는 단계 이후에, 상기 활성층을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 17 |
17 제 16 항에 있어서, 상기 열처리하는 단계는 산화성 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 18 |
18 제 12 항에 있어서, 상기 열처리하는 단계는 상기 활성층을 형성하는 단계의 상기 기판 온도 내지 400 ℃ 범위 내의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 19 |
19 제 12 항에 있어서, 상기 활성층을 형성하는 단계 동안, 상기 기판 온도는 상온 내지 200 ℃의 범위 내인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1023338-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20081104 출원 번호 : 1020080109060 공고 연월일 : 20110318 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20101228 청구범위의 항수 : 19 유별 : G02F 1/136 발명의 명칭 : 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 393,000 원 | 2011년 03월 10일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 458,000 원 | 2014년 02월 28일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 320,600 원 | 2015년 02월 12일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 320,600 원 | 2016년 01월 22일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 575,400 원 | 2017년 02월 24일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 575,400 원 | 2018년 02월 22일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 411,000 원 | 2019년 03월 04일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 642,500 원 | 2020년 03월 02일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.11.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0765325-99 |
| 2 | [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서 | 2008.11.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-5054921-42 |
| 3 | 보정요구서 | 2008.11.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2008-0125547-77 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 | 2008.11.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0781569-97 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.02.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 | 2010.03.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0018303-86 |
| 7 | 의견제출통지서 | 2010.05.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0200351-20 |
| 8 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2010.06.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0405764-23 |
| 9 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2010.07.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0446492-15 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.08.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0517749-97 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.08.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0517748-41 |
| 12 | 등록결정서 | 2010.12.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0599495-31 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345071055 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A2003 |
| 연구과제명 | 재료연구인력양성사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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