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박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치

  • 기술번호 : KST2015135513
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소 나노 튜브를 포함하는 박막 트랜지스터가 드레인-소스 전압이 높거나 낮음에 상관없이 스위칭 소자의 특성을 가질 수 있도록 하기 위하여 탄소 나노 튜브 패턴을 서로 분리하고, 이를 연결하는 부유 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공한다. 그 결과 표시 장치와 같이 드레인-소스 전압이 높은 경우에도 탄소 나노 튜브를 사용한 박막 트랜지스터가 스위칭 소자로서의 역할을 수행할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) G02F 1/136 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0048(2013.01) H01L 51/0048(2013.01) H01L 51/0048(2013.01) H01L 51/0048(2013.01) H01L 51/0048(2013.01)
출원번호/일자 1020110119545 (2011.11.16)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1903747-0000 (2018.09.21)
공개번호/일자 10-2013-0053857 (2013.05.24) 문서열기
공고번호/일자 (20181004) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.14)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박상호 대한민국 경기 수원시 영통구
2 신영기 대한민국 서울특별시 동작구
3 강윤호 대한민국 경기 용인시 수지구
4 이주형 대한민국 서울특별시 송파구
5 이형우 대한민국 경기 안양시 동안구
6 홍승훈 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구
2 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0905694-54
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0108446-14
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-1009063-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0742791-96
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
10 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-1107497-77
11 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.11.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
12 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.12.08 수리 (Accepted) 9-1-2017-0040987-08
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0891120-61
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.02.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0172735-08
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0172734-52
16 등록결정서
Decision to grant		 2018.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0422350-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제어 전압이 인가되는 게이트 전극,상기 게이트 전극과 절연되어 있으며, 입력 전압이 인가되는 소스 전극,상기 게이트 전극과 절연되어 있으며, 출력 전압이 인가되는 드레인 전극,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 채널 영역에 형성되며, 서로 분리되어 있는 적어도 2 이상의 탄소 나노 튜브 패턴; 및상기 서로 분리되어 있는 적어도 2 이상의 탄소 나노 튜브 패턴을 서로 연결시키는 적어도 하나의 부유 전극을 포함하고,상기 부유 전극은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일한 물질을 포함하는 박막 트랜지스터
2 2
제1항에서,상기 부유 전극의 개수는 상기 탄소 나노 튜브 패턴의 개수에서 하나를 뺀 것인 박막 트랜지스터
3 3
제1항에서,박막 트랜지스터가 온 상태인 경우 상기 소스 전극으로 입력된 전압은 상기 적어도 2 이상의 탄소 나노 튜브 패턴 및 상기 부유 전극을 통하여 상기 드레인 전극까지 전달되는 박막 트랜지스터
4 4
제1항에서,상기 탄소 나노 튜브 패턴은 친수성 패턴 및 그 위에 형성된 탄소 나노 튜브를 포함하는 박막 트랜지스터
5 5
제4항에서,상기 서로 분리된 탄소 나노 튜브 패턴의 상기 친수성 패턴도 서로 분리되어 있는 박막 트랜지스터
6 6
제4항에서,상기 친수성 패턴이 형성된 영역 외이며, 상기 친수성 패턴과 동일한 층에 형성된 소수성 패턴을 더 포함하는 박막 트랜지스터
7 7
제1항에서,상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 절연시키는 게이트 절연막을 더 포함하는 박막 트랜지스터
8 8
제7항에서,상기 게이트 전극위에 상기 게이트 절연막이 형성되며, 상기 게이트 절연막 위에 상기 탄소 나노 튜브 패턴이 형성되며, 상기 탄소 나노 튜브 패턴위에 상기 소스 전극, 상기 부유 전극 및 상기 드레인 전극이 형성되어 있는 박막 트랜지스터
9 9
제7항에서,상기 탄소 나노 튜브 패턴위에 상기 소스 전극, 상기 부유 전극 및 상기 드레인 전극이 형성되며, 상기 소스 전극, 상기 부유 전극 및 상기 드레인 전극위에 상기 게이트 절연막이 형성되며, 상기 게이트 절연막 위에 상기 게이트 전극이 형성되어 있는 박막 트랜지스터
10 10
제7항에서,상기 소스 전극, 상기 부유 전극 및 상기 드레인 전극위에 상기 탄소 나노 튜브 패턴이 형성되며, 상기 탄소 나노 튜브 패턴위에 상기 게이트 절연막이 형성되며, 상기 게이트 절연막 위에 상기 게이트 전극이 형성되어 있는 박막 트랜지스터
11 11
각각 스위칭 소자 및 이와 연결되어 있는 화소 전극을 포함하는 복수의 화소,상기 화소에 게이트 전압을 인가하는 게이트 구동부,상기 화소에 데이터 전압을 인가하는 데이터 구동부, 및상기 게이트 구동부 및 데이터 구동부를 제어하는 신호 제어부를 포함하며,상기 스위칭 소자는 박막 트랜지스터이며,상기 박막 트랜지스터는상기 게이트 전압이 인가되는 게이트 전극,상기 게이트 전극과 절연되어 있으며, 상기 데이터 전압이 인가되는 소스 전극,상기 게이트 전극과 절연되어 있으며, 상기 화소 전극에 상기 데이터 전압을 출력하는 드레인 전극,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 채널 영역에 형성되며, 서로 분리되어 있는 적어도 2 이상의 탄소 나노 튜브 패턴; 및상기 서로 분리되어 있는 적어도 2 이상의 탄소 나노 튜브 패턴을 서로 연결시키는 적어도 하나의 부유 전극을 포함하고,상기 부유 전극은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일한 물질을 포함하는 표시 장치
12 12
제11항에서,상기 부유 전극의 개수는 상기 탄소 나노 튜브 패턴의 개수에서 하나를 뺀 것인 표시 장치
13 13
제11항에서,박막 트랜지스터가 온 상태인 경우 상기 소스 전극으로 입력된 전압은 상기 적어도 2 이상의 탄소 나노 튜브 패턴 및 상기 부유 전극을 통하여 상기 드레인 전극까지 전달되는 표시 장치
14 14
제11항에서,상기 탄소 나노 튜브 패턴은 친수성 패턴 및 그 위에 형성된 탄소 나노 튜브를 포함하는 표시 장치
15 15
제14항에서,상기 서로 분리된 탄소 나노 튜브 패턴의 상기 친수성 패턴도 서로 분리되어 있는 표시 장치
16 16
제14항에서,상기 친수성 패턴이 형성된 영역 외이며, 상기 친수성 패턴과 동일한 층에 형성된 소수성 패턴을 더 포함하는 표시 장치
17 17
제11항에서,상기 게이트 전극과 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 절연시키는 게이트 절연막을 더 포함하는 표시 장치
18 18
제17항에서,상기 게이트 전극위에 상기 게이트 절연막이 형성되며, 상기 게이트 절연막 위에 상기 탄소 나노 튜브 패턴이 형성되며, 상기 탄소 나노 튜브 패턴위에 상기 소스 전극, 상기 부유 전극 및 상기 드레인 전극이 형성되어 있는 표시 장치
19 19
제17항에서,상기 탄소 나노 튜브 패턴위에 상기 소스 전극, 상기 부유 전극 및 상기 드레인 전극이 형성되며, 상기 소스 전극, 상기 부유 전극 및 상기 드레인 전극위에 상기 게이트 절연막이 형성되며, 상기 게이트 절연막 위에 상기 게이트 전극이 형성되어 있는 표시 장치
20 20
제17항에서,상기 소스 전극, 상기 부유 전극 및 상기 드레인 전극위에 상기 탄소 나노 튜브 패턴이 형성되며, 상기 탄소 나노 튜브 패턴위에 상기 게이트 절연막이 형성되며, 상기 게이트 절연막 위에 상기 게이트 전극이 형성되어 있는 표시 장치
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1 US08884266 US 미국 FAMILY
2 US09153626 US 미국 FAMILY
3 US20130119345 US 미국 FAMILY
4 US20140353592 US 미국 FAMILY

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1 US2013119345 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2014353592 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US8884266 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9153626 US 미국 DOCDBFAMILY
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