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기판 상에 금속층과 산소를 함유하는 실리콘층으로 이루어진 계면이 적어도 하나 형성된 적층구조물을 준비하는 단계; 및
상기 적층구조물에 전자빔(E-beam)을 조사하여 상기 계면 상에 실리사이드 나노점(nanodots)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점 형성방법
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제1항에 있어서,
상기 적층구조물은 기판 상에 금속층과 산소를 함유하는 실리콘층이 차례로 형성된 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점 형성방법
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3
제2항에 있어서,
상기 실리사이드 나노점을 형성하는 단계는,
상기 전자빔을 실리사이드 나노점을 형성하고자 하는 부분에만 조사하는 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점 형성방법
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4
제2항에 있어서,
상기 실리사이드 나노점을 형성하는 단계 이후에, 상기 산소를 함유하는 실리콘층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점 형성방법
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5
제4항에 있어서,
상기 산소를 함유하는 실리콘층을 제거하는 단계는 염소(Cl) 또는 불소(F)를 포함하는 가스 플라즈마를 이용하는 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점 형성방법
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6
제2항에 있어서,
상기 실리사이드 나노점을 형성하는 단계는,
상기 실리콘층 상에 레지스트를 형성하는 단계;
상기 레지스트 상에 나노점을 형성하고자 하는 부분에만 전자빔을 조사하는 단계;
상기 레지스트를 현상하여 상기 전자빔이 조사되지 않은 부분의 레지스트를 제거하는 단계; 및
상기 전자빔이 조사된 부분의 레지스트와 상기 레지스트를 현상하는 단계에서 레지스트가 제거됨으로 인해 표면이 노출된 부분의 상기 실리콘층을 에칭하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점 형성방법
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7
제6항에 있어서,
상기 레지스트와 실리콘층을 에칭하는 단계는 염소 또는 불소를 포함하는 가스 플라즈마를 이용하는 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점 형성방법
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8
제6항에 있어서,
상기 레지스트는 HSQ(hydrogen silsesquioxane)인 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점 형성방법
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9
제6항에 있어서,
상기 레지스트와 실리콘층을 에칭하는 단계 이후에, 상기 레지스트와 실리콘층을 에칭하는 단계에서 에칭되지 않은 실리콘층과 표면이 노출된 상기 금속층을 에칭하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점 형성방법
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10
제9항에 있어서,
상기 실리콘층과 금속층을 에칭하는 단계는 아르곤(Ar) 플라즈마를 이용하는 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점 형성방법
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11
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 실리콘층에 함유된 산소의 함량은 1 내지 60 원자%의 범위에서 설정되는 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점 형성방법
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12
기판;
상기 기판 상에 형성된 금속층; 및
상기 금속층 상에 형성된 상기 금속층과 동종의 금속이 포함되어 있는 실리사이드 나노점;을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점이 형성되어 있는 적층구조물
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13
기판;
상기 기판 상에 형성된 산소를 함유하고 있는 실리콘층;
상기 실리콘층 상에 형성된 금속층; 및
상기 금속층의 상면 및 상기 금속층 과 상기 실리콘층의 계면에 형성된 금속층과 동종의 금속이 포함되어 있는 실리사이드 나노점;을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점이 형성되어 있는 적층구조물
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14
삭제
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15
제13항에 있어서,
상기 금속층과 상기 실리콘층의 계면에 형성된 실리사이드 나노점은 상기 금속층의 하면에서 상기 실리콘층의 내부로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점이 형성되어 있는 적층구조물
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16
제12항 또는 제13항에 있어서,
상기 실리사이드 나노점은 SiOx로 둘러싸여 있는 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점이 형성되어 있는 적층구조물
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17
제12항 또는 제13항에 있어서,
상기 실리사이드 나노점은 반구형으로 형성된 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점이 형성되어 있는 적층구조물
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18
제12항 또는 제13항에 있어서,
상기 금속층은 Pd, Ni, Co, Ti, Ta, W, Pt, Cr, V, Zr, Hf, Nb, Fe, Ru, Rh, Re, Os, Ir 및 Mo 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점이 형성되어 있는 적층구조물
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19
제12항에 있어서,
상기 실리사이드 나노점은 상기 금속층 상의 일부 영역에만 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점이 형성되어 있는 적층구조물
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20
제19항에 있어서,
상기 일부 영역은 선형인 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점이 형성되어 있는 적층구조물
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21
제19항에 있어서,
상기 일부 영역은 원형인 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점이 형성되어 있는 적층구조물
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22
제12항 또는 제13항에 있어서,
상기 금속층이 패터닝되어 있는 것을 특징으로 하는 실리사이드 나노점이 형성되어 있는 적층구조물
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