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패턴 형성을 위한 전자빔 레지스트 현상방법

  • 기술번호 : KST2015160434
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 패턴 형성을 위한 전자빔 레지스트 현상방법을 개시한다. 본 발명에 따른 패턴 형성을 위한 전자빔 레지스트 현상방법은 전자빔 레지스트가 도포된 기판을 준비한 후 기판의 패턴을 형성하고자 하는 부분에 전자빔을 조사하고 전자빔이 조사된 기판을 제1 현상액에 노출시켜 현상한다. 그리고 제1 현상단계에서 전자빔 레지스트 상에 형성된 불순물을 에칭하고 에칭된 기판을 제2 현상액에 노출시켜 현상한다. 본 발명에 따른 방법으로 전자빔 레지스트를 현상하면 상당한 양의 전하가 공급된 전자빔 레지스트를 현상하는 것이 가능하게 되어 최소 배선폭이 10nm 이하의 크기를 갖는 고밀도 패턴을 형성할 수 있다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/0275(2013.01) H01L 21/0275(2013.01)
출원번호/일자 1020080010047 (2008.01.31)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0904896-0000 (2009.06.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090629) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.31)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기범 대한민국 서울 관악구
2 이효성 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0081558-65
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0072350-18
4 등록결정서
Decision to grant		 2009.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0216968-85
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
전자빔 레지스트가 도포된 기판을 준비하는 단계; 상기 기판의 패턴을 형성하고자 하는 부분에 전자빔을 조사하는 단계; 상기 전자빔이 조사된 기판을 제1 현상액에 노출시켜 현상하는 제1 현상단계; 상기 제1 현상단계에서 상기 전자빔 레지스트 상에 형성된 불순물을 에칭하는 에칭단계; 및 상기 에칭된 기판을 제2 현상액에 노출시켜 현상하는 제2 현상단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성을 위한 전자빔 레지스트 현상방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제2 현상단계 이후에 상기 에칭단계 및 상기 제2 현상단계를 순차적으로 적어도 1회 수행하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성을 위한 전자빔 레지스트 현상방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전자빔 레지스트는 HSQ(hydrogen silsesquioxane)인 것을 특징으로 하는 패턴 형성을 위한 전자빔 레지스트 현상방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 현상액 및 상기 제2 현상액은 TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide) 및 KOH 중 어느 하나로 동일한 것을 특징으로 하는 패턴 형성을 위한 전자빔 레지스트 현상방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 에칭단계는 HF가 포함된 용액을 이용하여 상기 불순물을 에칭하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성을 위한 전자빔 레지스트 현상방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 서울대학교 테라급나노소자개발사업 원자 이미지를 이용한 양자점 형성 기술 개발