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전자빔 리소그라피용 레지스트 및 전자빔 리소그라피용 레지스트 현상방법

  • 기술번호 : KST2015137312
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자빔에 대한 감도와 해상도가 우수한 전자빔 리소그라피용 레지스트 및 이 전자빔 리소그라피용 레지스트를 현상하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전자빔 리소그라피용 레지스트는 화학식 1의 화합물, 화학식 2의 화합물 및 화학식 3의 화합물이 공중합되어 형성되는 수평균 분자량이 500 내지 30,000인 공중합체를 포함한다. 003c#화학식 1003e# 003c#화학식 2003e# 003c#화학식 3003e# 리소그라피, 네가티브, 레지스트, 공중합
Int. CL G03F 7/075 (2006.01.01) G03F 7/20 (2006.01.01) G03F 7/00 (2006.01.01) G03F 7/038 (2006.01.01) G03F 7/039 (2006.01.01) G03F 7/004 (2006.01.01) G03F 7/09 (2006.01.01)
CPC G03F 7/0757(2013.01) G03F 7/0757(2013.01) G03F 7/0757(2013.01) G03F 7/0757(2013.01) G03F 7/0757(2013.01) G03F 7/0757(2013.01) G03F 7/0757(2013.01) G03F 7/0757(2013.01) G03F 7/0757(2013.01)
출원번호/일자 1020090065767 (2009.07.20)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1036803-0000 (2011.05.18)
공개번호/일자 10-2011-0008416 (2011.01.27) 문서열기
공고번호/일자 (20110525) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.20)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤도영 미국 서울 관악구
2 김기범 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0438921-44
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.07.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.08.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0051720-20
4 등록결정서
Decision to grant		 2011.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0157915-17
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1의 화합물, 화학식 2의 화합물 및 화학식 3의 화합물이 공중합되어 형성되는 수평균 분자량이 500 내지 30,000인 공중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 리소그라피용 레지스트
2 2
제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 4의 화합물((p-chloromethyl)phenyltrimethoxysilane)이고, 상기 화학식 2의 화합물은 하기 화학식 5의 화합물(((bicycloheptenyl)ethyl)triethoxysilane)이며, 상기 화학식 3의 화합물은 하기 화학식 6의 화합물(tetraethoxysilane)인 것을 특징으로 하는 전자빔 리소그라피용 레지스트
3 3
제2항에 있어서, 상기 공중합체에 포함되어 있는 상기 화학식 5의 화합물의 반복단위에 대한 상기 화학식 4의 화합물의 반복단위의 몰 비율이 0
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공중합체의 실란기 말단에 결합된 작용기에 대한 히드록시기의 몰 비율이 50% 이하인 것을 특징으로 하는 전자빔 리소그라피용 레지스트
5 5
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공중합체의 수평균분자량이 1000 내지 5000인 것을 특징으로 하는 전자빔 리소그라피용 레지스트
6 6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공중합체의 다분산도(polydispersity index)가 1 내지 1
7 7
하기 화학식 4의 화합물, 화학식 5의 화합물 및 화학식 6의 화합물이 공중합되어 형성되는 수평균 분자량이 500 내지 30,000인 공중합체를 포함하는 전자빔 리소그라피용 레지스트에 전자빔을 노출시키는 단계; 및 TMAH(tetramethylammonium hydroxide) 수용액 또는 IPA(isopropyl alcohol)를 현상액으로 이용하여, 상기 전자빔에 노출된 전자빔 리소그라피용 레지스트를 현상(develop)하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 리소그라피용 레지스트 현상방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 공중합체에 포함되어 있는 상기 화학식 5의 화합물의 반복단위에 대한 상기 화학식 4의 화합물의 반복단위의 몰 비율이 0
9 9
제8항에 있어서, 상기 TMAH 수용액는 1 내지 25 중량% 범위의 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 전자빔 리소그라피용 레지스트 현상방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 공중합체에 포함되어 있는 상기 화학식 5의 화합물의 반복단위에 대한 상기 화학식 4의 화합물의 반복단위의 몰 비율이 1
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1 WO2011010771 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 테라급나노소자개발사업 고감도 고분해능 전자빔 레지스트 개발