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다결정 실리콘 및 그의 결정화 방법

  • 기술번호 : KST2015166500
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다결정 실리콘 및 그의 결정화 방법을 제공하기 위한 것으로, 절연기판과, 상기 절연기판 위에 형성된 비정질 실리콘 박막과, CW 레이저 빔의 조사를 받아 상기 비정질 실리콘 박막의 결정화가 이루어지도록 하는 원통형 마이크로 렌즈를 포함하여 비정질 실리콘 박막을 결정화시킴으로서, 유리 기판 등의 절연막 위에 있는 비정질 실리콘 박막을 다결정 실리콘 박막으로 결정화할 때 결정립의 방향과 크기를 일정하게 성장시켜 양질의 다결정 실리콘 박막을 형성할 수 있게 되는 것이다.CW 레이저 빔, 원통형 마이크로 렌즈, 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 연속성장, 스캔 방향
Int. CL G02F 1/136 (2000.01)
CPC
출원번호/일자 1020050106369 (2005.11.08)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0753432-0000 (2007.08.23)
공개번호/일자 10-2007-0049310 (2007.05.11) 문서열기
공고번호/일자 (20070831) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.11.08)
심사청구항수 29

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장 진 대한민국 서울 서초구
2 오재환 대한민국 서울특별시 동대문구
3 김은현 대한민국 서울 동대문구
4 김기형 대한민국 서울 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에이디알씨 주식회사 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2005-0641519-61
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2006-5037065-09
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0734519-01
4 의견서
Written Opinion		 2007.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0113820-84
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.02.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0113822-75
6 등록결정서
Decision to grant		 2007.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0278815-71
7 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2007.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0595962-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.09.07 수리 (Accepted) 4-1-2007-5139506-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020006-08
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0939037-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
절연기판과;상기 절연기판 위에 형성된 비정질 실리콘 박막과;CW 레이저 빔의 조사를 받아 상기 비정질 실리콘 박막의 결정화가 이루어지도록 하는 원통형 마이크로 렌즈를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 다결정 실리콘은,상기 절연기판과 상기 비정질 실리콘 박막 사이에 형성된 완충층을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 완충층은,실리콘산화막, 실리콘질화막, 실리콘산화질화막, 실리케이트막, 유기막 중에서 하나 또는 둘 이상의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘
5 5
청구항 2에 있어서, 상기 비정질 실리콘 박막은,내부 또는 표면에 금속을 포함한 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 비정질 실리콘 박막에 포함된 금속은,니켈 또는 코발트인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘
7 7
청구항 2에 있어서, 상기 비정질 실리콘 박막은,상기 비정질 실리콘 박막의 표면에 금속을 증착시켜 금속유도 결정화하도록 한 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘
8 8
청구항 2에 있어서, 상기 비정질 실리콘 박막은,패터닝 된 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘
9 9
청구항 2에 있어서, 상기 비정질 실리콘 박막은,원형, 타원형, 삼각형, 사각형을 포함한 패턴 중에서 하나의 패턴으로 만들어 형성된 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘
10 10
청구항 2에 있어서, 상기 원통형 마이크로 렌즈는,반경이 4 ㎛ 에서 9000 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘
11 11
청구항 2에 있어서, 상기 원통형 마이크로 렌즈는,상기 원통형 마이크로 렌즈 대신에 삼각주 또는 사각주 모양의 렌즈를 사용하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘
12 12
청구항 2에 있어서, 상기 원통형 마이크로 렌즈는,2개 이상 사용하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘
13 13
청구항 2에 있어서, 상기 원통형 마이크로 렌즈는,볼록 또는 오목렌즈인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘
14 14
청구항 2에 있어서, 상기 원통형 마이크로 렌즈는,상기 CW 레이저 빔으로부터 조사받을 때, 스캐닝 방식에 의해 연속적으로 형성된 라인 빔을 조사받는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘
15 15
청구항 2에 있어서, 상기 원통형 마이크로 렌즈는,상기 CW 레이저 빔으로부터 조사받을 때, 상기 CW 레이저 빔의 파장 영역이 자외선 영역의 빛과 가시광선 영역의 빛과 적외선 영역의 빛 중에서 하나 이상을 포함한 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘
16 16
청구항 2에 있어서, 상기 원통형 마이크로 렌즈는,상기 CW 레이저 빔으로부터 조사받을 때, 상기 CW 레이저 빔은 빔의 폭이 4 ㎛ 에서 9000 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘
17 17
절연기판 위에 비정질 실리콘 박막을 형성하는 제 1 단계와;상기 제 1 단계 후 상기 비정질 실리콘 박막 상에 원통형 마이크로 렌즈를 붙여 형성하는 제 2 단계와;상기 제 2 단계 후 CW 레이저 빔을 상기 비정질 실리콘 박막에 조사하는 제 3 단계와;상기 제 3 단계 후 결정화가 이루어지도록 하는 제 4 단계를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘의 결정화 방법
18 18
청구항 17에 있어서, 상기 제 1 단계는,상기 비정질 실리콘 박막의 내부 또는 표면에 금속을 포함시켜 금속유도 결정화하도록 하여 상기 비정질 실리콘 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘의 결정화 방법
19 19
청구항 18에 있어서, 상기 금속유도 결정화를 위한 금속은,니켈 또는 코발트인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘의 결정화 방법
20 20
청구항 17에 있어서, 상기 제 1 단계는,상기 비정질 실리콘 박막의 표면에 금속을 증착시켜 금속유도 결정화하도록 하여 상기 비정질 실리콘 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘의 결정화 방법
21 21
청구항 17에 있어서, 상기 제 1 단계에서 상기 비정질 실리콘 박막은,패터닝 된 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘의 결정화 방법
22 22
청구항 17에 있어서, 상기 제 1 단계에서 상기 비정질 실리콘 박막은,원형, 타원형, 삼각형, 사각형을 포함한 패턴 중에서 하나의 패턴으로 만들어 형성하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘의 결정화 방법
23 23
청구항 17에 있어서, 상기 제 2 단계는,상기 원통형 마이크로 렌즈 대신에 삼각주 또는 사각주 모양의 렌즈를 사용하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘의 결정화 방법
24 24
청구항 17에 있어서, 상기 제 2 단계에서 상기 원통형 마이크로 렌즈는,볼록 또는 오목렌즈인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘의 결정화 방법
25 25
청구항 17에 있어서, 상기 제 3 단계는,상기 CW 레이저 빔을 상기 원통형 마이크로 렌즈를 지나 상기 비정질 실리콘 박막에 조사하여 상기 비정질 실리콘 박막이 액상으로 변화하도록 한 다음, 변화된 액상이 고상으로 변화되면서 결정화가 일어나도록 하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘의 결정화 방법
26 26
삭제
27 27
청구항 17에 있어서, 상기 제 3 단계는,상기 CW 레이저 빔을 상기 원통형 마이크로 렌즈를 지나 상기 비정질 실리콘 박막에 조사하여 상기 비정질 실리콘 박막이 가열되어 고체상태에서 결정질로 변화하도록 한 다음, 가열되어 결정화된 실리콘이 핵으로 작용하여 상기 비정질 실리콘 박막이 다결정 실리콘으로 결정화되도록 하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘의 결정화 방법
28 28
삭제
29 29
청구항 17에 있어서, 상기 제 3 단계는,상기 CW 레이저 빔에서 조사할 때, 스캐닝 방식으로 연속적으로 라인 빔을 형성하여 조사하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘의 결정화 방법
30 30
청구항 17에 있어서, 상기 제 3 단계에서 상기 CW 레이저 빔은,상기 CW 레이저 빔의 파장 영역이 자외선 영역의 빛과 가시광선 영역의 빛과 적외선 영역의 빛 중에서 하나 이상을 포함한 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘의 결정화 방법
31 31
청구항 17에 있어서, 상기 제 3 단계는,상기 CW 레이저 빔의 조사 전에 상기 비정질 실리콘 박막에 다결정 실리콘을 형성한 다음 상기 다결정 실리콘으로부터 결정화가 진행되도록 제 4 단계로 리턴하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘의 결정화 방법
32 32
청구항 17에 있어서, 상기 다결정 실리콘의 결정화 방법은,상기 제 2 단계의 상기 원통형 마이크로 렌즈와 상기 제 3 단계의 상기의 CW 레이저 빔이 동시에 스캔되도록 하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘의 결정화 방법
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1 지식경제부 경희대학교 산학협력단 중기거점기술개발사업 저온 폴리 실리콘 TFT array 및 공정기술 개발