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게이트 전극,
상기 게이트 전극과 중첩하는 반도체,
상기 게이트 전극과 상기 반도체 사이에 위치하는 게이트 절연막,
상기 반도체의 하부 또는 상부에서 서로 마주하는 소스 전극 및 드레인 전극, 그리고
상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극
을 포함하며,
상기 게이트 절연막은 하기 화학식 1로 표현되는 규소를 포함하는 폴리비닐페놀 유도체를 포함하는
박막 트랜지스터 표시판
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2
삭제
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제1항에서,
상기 규소를 포함하는 폴리비닐페놀 유도체는 화학식 2:
[화학식 2]
로 표현되는 박막 트랜지스터 표시판
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4
제1항에서,
상기 규소를 포함한 폴리비닐페놀 유도체는 상기 게이트 절연막의 총 함량에 대하여 1 내지 50중량%로 함유되어 있는 박막 트랜지스터 표시판
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5
제1항에서,
상기 게이트 절연막은 용액 형태로 형성되는 박막 트랜지스터 표시판
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제1항에서,
상기 반도체는 유기 반도체인 박막 트랜지스터 표시판
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7
화학식 1:
[화학식 1]
로 표현되는 폴리비닐페놀 유도체이고,
여기서 R1, R2 및 R3는 탄소 수 1 내지 6개의 알킬기이고 n은 500 내지 20,000이며,
상기 화학식 1의 폴리비닐페놀 유도체는 박막 트랜지스터의 게이트 절연막으로 사용되는
고분자 수지
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8
제7항에서,
상기 폴리비닐페놀 유도체는 화학식 2:
[화학식 2]
로 표현되는 고분자 수지
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9
제8항에서,
상기 폴리비닐페놀 유도체는
4-아세톡시스티렌을 출발 물질로 하여 합성되는 고분자 수지
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10
제9항에서,
상기 폴리비닐페놀 유도체는
상기 4-아세톡시스티렌을 가수분해하여 4-히드록시스티렌을 합성하는 단계,
상기 4-히드록시스티렌을 클로로트리이소프로필실란과 반응시켜 트리이소프로필(4-비닐페녹시)실란을 합성하는 단계,
상기 트리이소프로필(4-비닐페녹시)실란을 중합하여 상기 화학식 2의 폴리비닐페놀 유도체를 합성하는 단계
로부터 제조되는 고분자 수지
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