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산화물과 금속으로 이루어진 다층 구조의 투명 전극에 있어서,투명 기판;상기 투명 기판의 상면에 형성되는 아연주석산화물로 이루어진 하부 산화물층;상기 하부 산화물층의 상면에 형성되는 은 금속층; 및상기 은 금속층의 상면에 형성되는 아연주석산화물로 이루어진 상부 산화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극
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제 1 항에 있어서, 상기 하부 산화물층, 은 금속층 또는 상부 산화물층은 스퍼터링 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극
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제 2 항에 있어서, 상기 하부 산화물층 또는 상부 산화물층은 아연주석산화물 타겟을 이용하여 RF 스퍼터링 공정으로 통해 형성되며,상기 은 금속층은 은 타켓을 이용하여 DC 스퍼터링 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극
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제 1 항에 있어서, 상기 은 금속층의 두께는4nm 내지 20nm인 것을 특징으로 하는 투명 전극
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제 1 항에 있어서, 상기 은 금속층의 두께는8nm 내지 12nm인 것을 특징으로 하는 투명 전극
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제 1 항에 있어서, 상기 하부 산화물층 또는 상부 산화물층의 두께는10nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 투명 전극
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명 기판은 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌술폰(PES), 폴리이미드(PI), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리싸이클릭올레핀(PCO), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 가교형 에폭시(crosslinking type epoxy), 가교형 우레탄 필름 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명 전극
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 형성한 하부 산화물층 또는 상부 산화물층은 아연주석산화물(ZnSnOx(1003c#x003c#3))인 것을 특징으로 하는 투명 전극
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플렉시블 투명 기판 위에 아연주석산화물을 타켓으로 이용하여 스퍼터링 공정으로 10nm 내지 100nm 두께의 하부 산화물층을 형성하는 단계;상기 형성한 하부 산화물층의 상면에 은 타켓을 이용하여 스퍼터링 공정으로 4nm 내지 20nm 두께의 은 금속층을 형성하는 단계; 및상기 형성한 은 금속층의 상면에 아연주석산화물을 타겟으로 이용하여 스퍼터링 공정으로 10nm 내지 100nm 두께의 상부 산화물층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 하부 산화물층, 은 금속층 및 상부 산화물층은 공동 스퍼터 챔버내에서 순차적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조 방법
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