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은나노선과 금속산화물을 이용한 투명전극, 투명전극 제조 방법, 이를 이용한 발광 다이오드 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015166919
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 은나노선과 금속산화물을 이용한 투명전극, 투명전극 제조 방법, 이를 이용한 발광 다이오드 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, 은나노선을 이용한 투명전극 제조 방법으로서, (a) 기판 상에 상기 은나노선과 금속산화물을 용액 공정에 의해 도포하는 단계; 및 (b) 상기 은나노선 및 상기 금속산화물이 도포된 상기 기판을 어닐링하는 단계를 포함하되, 상기 금속산화물은 산화아연, 산화알루미늄아연 및 산화텅스텐 중 적어도 하나를 포함하는 투명전극 제조 방법이 제공된다.
Int. CL H01L 33/00 (2010.01) H01B 13/00 (2006.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1020130049725 (2013.05.03)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0131001 (2014.11.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.03)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장진 대한민국 서울 동대문구
2 원동현 대한민국 서울 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최관락 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
2 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
3 민영준 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0390961-84
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0008932-43
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0205987-57
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0495878-11
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0598017-65
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.06.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0598018-11
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.10.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0688526-73
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-1192624-82
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0273501-55
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2015.05.26 수리 (Accepted) 7-1-2015-0023210-71
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
은나노선을 이용한 투명전극 제조 방법으로서, (a) 기판 상에 상기 은나노선과 금속산화물을 용액 공정에 의해 도포하는 단계; 및(b) 상기 은나노선 및 상기 금속산화물이 도포된 상기 기판을 어닐링하는 단계를 포함하되, 상기 금속산화물은 산화아연, 산화알루미늄아연 및 산화텅스텐 중 적어도 하나를 포함하는 투명전극 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속산화물의 용액 내에서 금속의 함량은 0
3 3
제1항에 있어서,상기 금속산화물이 상기 산화알루미늄아연인 경우, 상기 알루미늄의 함량은 0
4 4
제1항에 있어서,상기 (a) 단계는, 상기 은나노선과 금속산화물을 용액 공정에 의해 순차적으로 도포하거나 상기 은나노선과 상기 금속산화물의 혼합 용액을 동시에 도포하는 투명전극 제조 방법
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 투명전극
6 6
발광 다이오드 제조 방법으로서, 기판 상에 용액공정에 의해 음극을 형성하는 단계;상기 음극 상에 전자주입·수송층을 형성하는 단계;상기 전자주입·수송층 상에 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층 상에 정공수송층을 형성하는 단계;상기 정공수송층 상에 정공주입층을 형성하는 단계; 및상기 정공주입층 상에 용액공정에 의해 양극을 형성하는 단계를 순차적으로 포함하되,상기 음극 또는 양극은 은나노선과 금속산화물을 용액 공정에 의해 순차적으로 도포하거나 상기 은나노선과 상기 금속산화물의 혼합 용액을 동시에 도포하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 금속산화물은 산화아연, 산화알루미늄아연 및 산화텅스텐 중 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
8 8
제6항에 있어서,상기 금속산화물의 용액 내에서 금속의 함량은 0
9 9
제6항에 있어서,상기 금속산화물이 산화알루미늄아연인 경우, 상기 알루미늄의 함량은 0
10 10
제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서울대학교 산학협력단 전자정보디바이스 산업원천기술개발사업(반도체) 고품위 plastic AMOLED 원천 기술 개발