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유연성을 가지는 비정질 투명 전극 소자

  • 기술번호 : KST2015166925
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명 전극 소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로 산화인듐(In2O3) 타켓과 이산화규소(SiO2) 타켓을 이용하여 대향 마그네틱 스퍼터링방식으로 비정질의, 규소가 도핑된 산화인듐(Si:In2O3)의 투명 전극을 제조하여, 우수한 유연성을 가지며 별도의 열처리 공정이 없이도 우수한 전기적, 광학적 특성을 가지는 투명 전극 소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1020130029378 (2013.03.19)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1439753-0000 (2014.09.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140916) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.19)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김한기 대한민국 경기 수원시 영통구
2 강신비 대한민국 서울 서대문구
3 이혜민 대한민국 경기 이천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서재승 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***-*(논현동) ***호(스카이국제특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0237945-53
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2013-0103243-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0127600-07
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0390697-69
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.05.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0493246-29
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0493244-38
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0585100-00
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 스퍼터링 챔버에 이산화규소(SiO2)로 이루어진 이산화규소 타켓과 산화인듐(In2O3)으로 이루어진 산화인듐 타켓 사이에 성막 대상 기판을 배치하는 단계;(b) 상기 스퍼터링 챔버를 진공으로 만든 후, 상기 스퍼터링 챔버에 스퍼터링 가스를 주입하는 단계; 및(c) 상기 산화인듐 타켓에 고정 DC 전원을 인가하고 상기 이산화규소 타켓에 RF 전원을 인가하여 상기 성막 대상 기판에 규소(Si)가 도핑된 산화인듐(Si:In2O3)을 적층하여 투명 전극을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 소자의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 성막 대상 기판은 투명 유연 기판인 것을 특징으로 하는 투명 전극 소자의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 산화인듐 타켓과 상기 이산화규소 타켓의 배면에는 각각 전자석 유닛이 설치되어 있으며, 상기 투명 전극은 상기 산화인듐 타켓과 상기 이산화규소 타켓의 전자석 유닛을 작동시켜 상기 산화인듐 타켓과 상기 이산화규소 타겟 사이에 자기장이 형성된 상태에서 적층되는 것을 특징으로 하는 투명 전극 소자의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 산화인듐에 도핑된 규소의 양은 상기 산화인듐 타켓에 인가되는 DC 전원의 크기를 고정한 상태에서, 상기 이산화규소 타켓에 인가되는 RF 전원의 크기에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는 투명 전극 소자의 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 산화인듐에 도핑된 규소의 양은 2wt% 내지 4
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이산화규소 타켓과 상기 산화인듐 타켓은 서로 대향하여 이격 배치되고, 상기 성막 대상 기판은 상기 이산화규소 타켓과 상기 산화인듐 타켓 사이의 대향면 위에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 투명 전극 소자의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 이산화규소 타켓과 상기 산화인듐 타켓은 동일 수평선 상에 위치하며, 상기 이산화규소 타켓과 상기 산화인듐 타켓은 상기 성막 대상 기판을 향하여 경사 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 투명 전극 소자의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.