맞춤기술찾기

이전대상기술

일함수 조절막을 구비한 전극 소자

  • 기술번호 : KST2015167006
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전극 소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로 투명 전극의 일함수 값을 제어함으로써 동일한 투명 전극을 양극뿐만 아니라 음극으로도 사용할 수 있으며, 원자층 증착 방식(Atomic Layer Deposition, ALD)으로 투명 전극의 표면에 일함수 조절막을 형성함으로써 일함수 조절막의 두께를 정확하게 제어 가능하며 일함수 조절막을 균일한 조성비로 형성할 있는 전극 소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020130127813 (2013.10.25)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1578268-0000 (2015.12.10)
공개번호/일자 10-2015-0047840 (2015.05.06) 문서열기
공고번호/일자 (20151216) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.10.25)
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강성준 대한민국 서울 서초구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서재승 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***-*(논현동) ***호(스카이국제특허사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0968465-95
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-1130250-33
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.06.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0050883-23
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0784137-45
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2015-0054838-53
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.01.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0054842-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2015.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0286174-11
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0628631-62
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0738853-93
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.07.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0738854-38
13 등록결정서
Decision to grant
2015.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0857746-65
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전극 소자의 제조 방법에 있어서,베이스 전극의 일면에 상기 베이스 전극의 일함수와 상이한 일함수를 가지는 산화 금속층을 적층하여 상기 베이스 전극의 일함수를 조절하는 일함수 조절막을 형성하며,상기 일함수 조절막은 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 이용하여 상기 베이스 전극의 일면에 상기 산화 금속층을 단분자막(monolayer) 레벨로 적층하여 형성되며,상기 일함수 조절막 형성 과정은,(a) 베이스 투명 전극을 챔버 내부에 투입하여 가열하는 단계;(b) 상기 챔버 내부로부터 불활성 가스를 제거하는 단계;(c) 상기 챔버 내부에 금속 물질을 포함하는 제 1 반응 가스를 공급하여 상기 베이스 투명 전극에 대한 1차 화학 반응을 발생시키는 단계;(d) 상기 (c)단계 이후, 상기 챔버 내부에 남겨진 불활성 가스를 제거하는 단계; 및(e) 상기 (d)단계 이후, 상기 챔버 내부에 제 2 반응 가스를 공급하는 단계를 포함하고, 상기 (e)단계에서 상기 제 2 반응 가스가 상기 제 1 반응 가스와 화학 반응하여 상기 베이스 투명 전극에 단분자막 레벨의 산화 금속층이 형성되고, 상기 (b)단계 내지 (e)단계를 하나의 사이클로 하여 적어도 1회 이상 반복 수행하며,상기 베이스 투명 전극은 ITO 기판이 적용되고,상기 제 1 반응 가스는 알루미늄 소스인 TMA(Tri-methyl aluminum) 가스가 적용되며,상기 제 2 반응 가스는 질소 가스를 매개체로한 수증기로 적용되어상기 단분자막 레벨의 산화 금속층이 산화알루미늄(Al2O3)으로 형성되며,상기 일함수 조절막은 상기 베이스 전극의 일면에 1 내지 18 개의 단분자막을 적층하여 형성되고, 상기 베이스 전극의 일면에 상기 산화 금속층을 3nm 이하에서 조절하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전극 소자의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 글로벌 프론티어 사업 (나노기반 소프트 일렉트로닉스 연구) 신개념 소프트 소자 및 집적회로 아키텍쳐