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기판 상에 시드층을 형성하고,상기 시드층 상에 무기 박막층을 형성하고, 상기 무기 박막층을 형성하는 과정에서 발생한 결함을 제거하는 것을 포함하되, 상기 결함을 제거하는 것은, 자기조립 단분자막(Self-Assembled Monolayers)을 형성하여 제거하는 박막층의 결함 제거 방법
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제 1항에 있어서,상기 시드층은, 금속 박막층인 박막층의 결함 제거 방법
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제 2항에 있어서,상기 금속 박막층은, Ag를 포함하는 박막층의 결함 제거 방법
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제 1항에 있어서, 상기 결함은, 상기 무기 박막층에 형성되어 상기 시드층의 상면을 노출하는 핀홀(pinhole)인 박막층의 결함 제거 방법
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제 4항에 있어서, 상기 결함을 제거하는 것은, 상기 자기조립 단분자막을 완성하는 전구체(precursor)가 상기 시드층에 본딩(bonding)되도록 유도하는 박막층의 결함 제거 방법
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제 5항에 있어서,상기 전구체가 상기 시드층에 본딩되도록 유도하는 것은, 상기 시드층 및 상기 무기 박막층이 형성된 상기 기판을, 상기 전구체가 용해된 용액에 액침(immersion)하는 박막층의 결함 제거 방법
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제 6항에 있어서,상기 기판을 상기 용액에 액침한 후, 상기 기판에 외부 공기가 접촉하는 것을 차단하도록 보호막을 덮는 것을 더 포함하는 박막층의 결함 제거 방법
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제 5항에 있어서, 상기 전구체는, DDT(1-dodecanethiol)인 박막층의 결함 제거 방법
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제 1항에 있어서,상기 무기 박막층은, Al을 포함하는 박막층의 결함 제거 방법
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제 9항에 있어서,상기 무기 박막층을 형성하는 것은, TMA(TriMethylAluminium)를 전구체로, 산소 플라즈마를 리액턴트(reactant)로 이용하는 박막층의 결함 제거 방법
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제 10항에 있어서,상기 무기 박막층을 형성하는 것은, TMA 피딩(feeding), Ar 퍼지(purge), 산소 플라즈마 제공, Ar 퍼지를 순차적으로 수행하는 것을 1 사이클(cycle)로 하여, 250 사이클을 반복하는 박막층의 결함 제거 방법
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기판;상기 기판 상에 형성된 시드층;상기 시드층 상에 형성된 무기 박막층; 및상기 무기 박막층에 형성된 결함을 채우도록 형성된 자기조립 단분자막을 포함하는 플렉서블 기판
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제 12항에 있어서,상기 시드층은, 금속 박막층인 플렉서블 기판
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제 12항에 있어서,상기 결함은, 상기 무기 박막층에 형성된 핀홀이거나 보이드(void)인 플렉서블 기판
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제 12항에 있어서,상기 자기조립 단분자막의 일부는, 상기 시드층과 접촉하도록 형성된 플렉서블 기판
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제 15항에 있어서,상기 자기조립 단분자막은, DDT(1-dodecanethiol)를 포함하는 플렉서블 기판
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