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기판,상기 기판 위에 형성되어 있으며 게이트 전극을 포함하는 게이트선,상기 게이트선과 절연되어 교차하는 데이터선,상기 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극,상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 유기 반도체, 그리고상기 게이트 전극과 상기 유기 반도체 사이에 위치하며 폴리비닐페놀, 가교제 및 광산 발생제로부터 형성되는 광 가교된 폴리비닐페놀을 포함하는 게이트 절연막을 포함하며,상기 게이트 절연막은 상기 폴리비닐페놀, 상기 가교제 및 상기 광산 발생제가 용매에 용해된 용액 형태로 형성되며, 상기 게이트 절연막의 고형분 총 함량에 대하여 45 내지 98중량%의 폴리비닐페놀, 1 내지 15중량%의 가교제 및 1 내지 40중량%의 광산 발생제를 포함하는 유기 박막 트랜지스터 어레이
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제1항에서,상기 가교제는 아세톡시 메틸 벤젠 화합물인 유기 박막 트랜지스터 어레이
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제3항에서,상기 광산 발생제는 트리아진 화합물인 유기 박막 트랜지스터 어레이
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기판 위에 게이트선을 형성하는 단계,상기 게이트선 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계,상기 게이트 절연막 위에 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 그리고상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 유기 반도체를 형성하는 단계를 포함하며,상기 게이트 절연막을 형성하는 단계는 폴리비닐페놀, 가교제 및 광산 발생제를 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트에 용해한 용액을 도포하여 유기 절연막을 형성하는 단계, 그리고상기 유기 절연막을 노광 및 현상하여 접촉 구멍을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터 어레이의 제조 방법
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제6항에서,상기 가교제는 아세톡시 메틸벤젠 화합물인 유기 박막 트랜지스터 어레이의 제조 방법
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제6항에서,상기 광산 발생제는 트리아진 화합물인 유기 박막 트랜지스터 어레이의 제조 방법
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게이트 전극을 형성하는 단계, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 그리고 반도체를 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터 어레이의 제조 방법에서,상기 게이트 전극을 형성하는 단계와 상기 반도체를 형성하는 단계 사이에 게이트 절연막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 게이트 절연막을 형성하는 단계는 폴리비닐페놀
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제10항에서,상기 게이트 절연막을 형성하는 단계는 상기 폴리비닐페놀, 상기 가교제 및 상기 광산 발생제를 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트에 용해한 용액을 도포하는 유기 박막 트랜지스터 어레이의 제조 방법
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제10항에서,상기 가교제는 아세톡시 메틸벤젠 화합물인 유기 박막 트랜지스터 어레이의 제조 방법
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게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 반도체층을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 어레이에 있어서,상기 게이트 전극 및 상기 반도체층 사이에는 게이트 절연막이 형성되어 있으며,상기 게이트 절연막은 폴리비닐페놀, 가교제 및 광산 발생제가 용매에 용해된 용액 형태로 형성되며, 상기 게이트 절연막의 고형분 총 함량에 대하여 45 내지 98중량%의 폴리비닐페놀, 1 내지 15중량%의 가교제 및 1 내지 40중량%의 광산 발생제로부터 형성되는 광 가교된 폴리비닐페놀을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 어레이
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제14항에서,상기 가교제는 아세톡시 메틸 벤젠 화합물인 유기 박막 트랜지스터 어레이
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제14항에서,상기 광산 발생제는 트리아진 화합물인 유기 박막 트랜지스터 어레이
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게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 반도체층을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 어레이에 있어서,상기 게이트 전극 및 상기 반도체층 사이에는 게이트 절연막이 형성되어 있으며,상기 게이트 절연막은 폴리비닐페놀, 가교제, 그리고 트리아진 화합물을 포함하는 광산 발생제로부터 형성되는 유기 박막 트랜지스터 어레이
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