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오프셋을 갖는 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조방법 및 이를 이용한 능동구동 디스플레이 장치, 능동구동 센서장치

  • 기술번호 : KST2015167371
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 드레인 오프셋을 가지는 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조 방법이 제공된다.본 발명은 능동 구동 디스플레이 장치의 화소 스위칭 소자로 사용되는 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, b) 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막, 산화물 반도체 및 보호막을 형성하는 단계, c) 상기 산화물 반도체에 소스 및 드레인을 형성하되, 일정 길이의 드레인 오프셋을 형성하여 게이트와 드레인 사이의 기생 정전 용량(Cgd)을 최소화하는 단계, d) 상기 소스 및 드레인 전극 상에 패시베이션(passivation) 층을 형성하는 단계 및, e) 상기 패시베이션 층 위에 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기와 같은 구성에 의하면, 본 발명은 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터를 구성할 때 게이트와 드레인 사이에 오프셋을 형성함으로서 기생 정전 용량(Cgd)을 "0"을 만들 수 있는 보다 유리한 효과가 있는 것이다. 결과적으로 능동 구동 디스플레이 장치의 구동시 킥 백 전압이 전혀 없는 디스플레이 장치를 구현할 수 있다.
Int. CL G02F 1/136 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/78621(2013.01) H01L 29/78621(2013.01) H01L 29/78621(2013.01) H01L 29/78621(2013.01)
출원번호/일자 1020110027392 (2011.03.28)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0109149 (2012.10.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장진 대한민국 서울특별시 동대문구
2 강동한 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0223018-13
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0980623-15
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.07.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0059280-98
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0436051-20
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0789975-24
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0881364-85
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0881363-39
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0173478-00
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0420322-78
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0420321-22
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.08.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0538507-42
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
능동 구동 디스플레이 장치의 화소 스위칭 소자로 사용되는 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, a) 기판 상에 게이트를 형성하는 단계, b) 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막, 산화물 반도체 및 보호막을 형성하는 단계, c) 상기 산화물 반도체에 소스 및 드레인을 형성하되, 일정 길이의 드레인 오프셋 또는 소스와 드레인 모두에 오프셋을 형성하여 게이트와 드레인 사이의 기생 정전 용량(Cgd)을 최소화하는 단계, d) 상기 소스 및 드레인 상에 패시베이션(passivation) 층을 형성하는 단계 및, e) 상기 패시베이션 층 위에 상기 드레인에 접촉되는 컨택홀을 가지는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오프셋을 가지는 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 일정 길이는 0
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 게이트 절연막은 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 오프셋을 가지는 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조 방법
4 4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 보호막은 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 오프셋을 가지는 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조 방법
5 5
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 산화물 반도체는 비정질 인듐-갈륨-징크옥사이드(amorphous indium-gallium-zinc oxide, a-IGZO)인 것을 특징으로 하는 오프셋을 가지는 산화물 반도체 박막 트랜지스터 제조 방법
6 6
청구항 1 또는 청구항 2의 제조방법에 의해서 제조된 오프셋을 가지는 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 이용한 능동 구동 디스플레이 장치
7 7
청구항 1 또는 청구항 2의 제조방법에 의해서 제조된 드레인 오프셋을 가지는 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 이용한 능동 구동 센서 장치
8 8
청구항 1 또는 청구항 2의 제조방법에 있어서,상기의 보호막이 없는 BCE(back channel etched) 구조인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 이용한 능동 구동 디스플레이 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 경희대학교 산학협력단 나노원천기술개발사업 플라즈마 화학기상증착 방법에 의한 나노 실리콘 태양전지 소재 연구