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그래핀 상의 잔여물 제거 방법

  • 기술번호 : KST2015167407
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상기 그래핀 소자 표면의 잔여물을 제거하는 방법을 제공하는 것이다. 구체적으로, 그래핀이 전사되어 있는 기판으로 소자를 제작하는 제 1단계 및 상기 소자를 열처리하는 제 2단계를 포함한다.그래핀 소자 제조 시에 급속 열처리 방식을 이용하여 낮은 온도와 짧은 시간 동안에 소자에 포함되어 있는 불순물 및 결함 등을 효과적으로 제거할 수 있다.
Int. CL H01L 21/324 (2006.01) H01L 21/302 (2006.01)
CPC H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01)
출원번호/일자 1020130045024 (2013.04.23)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1443853-0000 (2014.09.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140923) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.23)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최석호 대한민국 경기 수원시 영통구
2 김성 대한민국 경기 수원시 영통구
3 장찬욱 대한민국 부산 부산진구
4 신동희 대한민국 충남 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0357800-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2013-0105590-95
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0055412-08
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0280891-18
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0521582-04
7 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.08.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0783717-02
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0783707-45
9 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0624496-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 그래핀을 전사하고 포토리소그래피법을 이용하여 상기 그래핀이 전사된 소자를 제작하는 제1 단계; 및상기 소자를 질소 분위기 하에서 200℃ 초과 내지 250 ℃ 이하의 온도로 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing)하는 제2 단계를 포함하고,상기 급속 열처리는 20초 내지 2분 동안 200℃ 초과 내지 250 ℃ 이하의 온도에 도달하도록 조절하는 그래핀 소자 표면의 잔여물을 제거하는 방법
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4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서, 상기 급속 열처리는 5분 내지 30분 동안 열처리하는 그래핀 소자 표면의 잔여물을 제거하는 방법
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삭제
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제 1항에 있어서,상기 그래핀의 전사는 기계적 박리법, 화학기상증착법 또는 에피택시법에 의해 전사시키는 그래핀 소자 표면의 잔여물을 제거하는 방법
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제 1항에 있어서,상기 소자는 그래핀 FET 소자인 그래핀 소자 표면의 잔여물을 제거하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 경희대학교 산학협력단 도전과제 그래핀 기반 융복합 나노구조의 특성 및 소자 응용 연구