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반도체 기판(10) 상에 형성된 산화막(11)과; 상기 산화막(11) 상부에 형성된 알루미늄 산화막(12)과; 상기 알루미늄 산화막(12) 내부에 주입된 AlO- 이온(13) 및; 상기 알루미늄 산화막(12) 상에 형성한 알루미늄 전극(14)을 포함하는 것을 특징으로 하는 AlO-이온 주입에 의해 Al2O3에 형성한 트랩을 전하 저장준위로 이용한 비휘발성 메모리소자
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실리콘 기판(10)을 준비하는 반도체 기판 준비공정(S1 단계)와; 상기 실리콘 기판(10)의 표면을 산화시켜 실리콘 기판(10)의 표면상에 실리콘 산화막(11)을 형성하는 실리콘 산화막 형성공정(S2 단계)와; 상기 실리콘 산화막(11) 상에 알루미늄 산화막(12)을 형성하는 알루미늄 산화막 형성공정(S3 단계)와; 상기 알루미늄 산화막(12) 내에 AlO-이온(13)을 주입하는 이온주입공정(S4 단계) 및; 상기 알루미늄 산화막(12) 상에 알루미늄 전극(14)을 형성하는 전극형성공정(S5 단계)로 이루어진 것을 특징으로 하는 AlO-이온 주입에 의해 Al2O3에 형성한 트랩을 전하 저장준위로 이용한 비휘발성 메모리소자의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 실리콘 산화막 형성공정(S2 단계)에서 형성하는 실리콘 산화막(11)의 두께는 4 ∼ 6nm인 것을 특징으로 하는 AlO-이온 주입에 의해 Al2O3에 형성한 트랩을 전하 저장준위로 이용한 비휘발성 메모리소자의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 알루미늄 산화막 형성공정(S3 단계)에서 형성하는 알루미늄 산화막(12)은 두께가 35 ∼ 45nm인 것을 특징으로 하는 AlO-이온 주입에 의해 Al2O3에 형성한 트랩을 전하 저장준위로 이용한 비휘발성 메모리소자의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 이온주입공정(S4 단계)에서 AlO-이온(13) 주입시 에너지는 20 ∼ 45[keV]가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 AlO-이온 주입에 의해 Al2O3에 형성한 트랩을 전하 저장준위로 이용한 비휘발성 메모리소자의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 이온주입공정(S4 단계) 후에 질소(N2) 분위기에서 50초 내지 60초 동안 750 ∼ 850℃로 열처리(annealing) 한 후 전극형성공정(S5 단계)에서 알루미늄 전극(14)을 형성하는 것을 특징으로 하는 AlO-이온 주입에 의해 Al2O3에 형성한 트랩을 전하 저장준위로 이용한 비휘발성 메모리소자의 제조방법
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