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Ni 박막이 증착된 Si-과잉산화막을 이용한 실리카 나노선의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014035652
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 기판 위에 SiOX 박막을 제조하는 단계, 상기 SiOX 박막 위에 니켈(Ni) 박막을 증착하는 단계 및 상기 Ni 증착 SiOX 박막을 열불림(annealing) 처리하여 SiO2 박막 위에 실리카 나노선을 제조하는 단계로 이루어진 실리카 나노선의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, SiOX 박막의 조성 (x값)을 변화시킴으로써 실리카 나노선의 직경을 간단하게 조절할 수 있을 뿐만 아니라 일정한 x 값에서의 나노선 직경분포도 종래의 방법에 비해서 매우 작다는 장점이 있으며, 촉매로써 나노선 제작에서 많이 사용되는 Au나 Pt 대신 니켈을 사용함으로써 비용절감효과를 얻을 수 있고, 이렇게 제작된 실리카 나노선은 산업의 실리콘 응용기술들을 이용하여 다용한 응용분야에 응용할 수 있는 효과가 있다.실리카 나노선, SiOx 박막
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01)
출원번호/일자 1020090080730 (2009.08.28)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1139914-0000 (2012.04.18)
공개번호/일자 10-2011-0023109 (2011.03.08) 문서열기
공고번호/일자 (20120430) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.28)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최석호 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 김성 대한민국 서울특별시 동작구
3 신동희 대한민국 충청남도 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이덕록 대한민국 서울특별시 강남구 헌릉로***길 **-**(세곡동) *층, ***호(예일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0531344-14
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0217622-20
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0472015-49
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0472017-30
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0782809-68
6 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2012.02.03 접수중 (On receiving) 7-1-2012-0005648-28
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.02.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0171228-75
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.02.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0171226-84
9 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0193111-94
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
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번호 청구항
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실리콘 기판 위에 SiOX 박막(x는 0
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국에너지자원기술기획평가원 한국표준과학연구원 태양전지응용을 위한 복합양자점층 성장/제어 및 특성 평가기술개발 태양전지응용을 위한 복합양자점층 성장/제어 및 특성 평가기술개발