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은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 고품위 유연 투명 전극

  • 기술번호 : KST2015167443
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 고품위 유연 투명 전극에 관한 것으로, 모재 기판 표면에 희생층을 형성하는 희생층 형성 단계와, 상기 희생층 표면에 투명 전극을 형성하는 투명 전극 형성 단계와, 상기 투명 전극 표면에 은 나노와이어를 도포하는 은 나노와이어 코팅 단계와, 상기 은 나노와이어 표면에 유연 기판 소재를 코팅한 후 건조하여 유연 기판을 형성하는 유연 기판 형성 단계 및 상기 희생층을 에칭 공정을 통해 제거하는 희생층 제거 단계를 포함하고, 상기 희생층 제거 단계를 통해 상기 희생층이 제거됨으로써, 상기 유연 기판과 은 나노와이어 및 투명 전극이 상호 결합된 상태에서 상기 모재 기판과 분리되어 유연 투명 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법이 개시된다. 이에 따라서, 투명 전극과 접하게 되는 유연 기판의 계면이 우수한 평탄도를 갖게 되어 우수한 전도성을 갖는 고품질의 유연 투명 전극을 제조할 수 있을 뿐만 아니라 투명 전극에 열처리 공정을 수행할 수 있어 전기적 특성 및 투과율이 향상되는 고품위 유연 투명 전극을 제조할 수 있다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1020130094676 (2013.08.09)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1470752-0000 (2014.12.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.09)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김한기 대한민국 경기 수원시 영통구
2 강신비 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서재승 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***-*(논현동) ***호(스카이국제특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0723554-26
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.03.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2014-0031968-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0292343-93
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0616256-83
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0616257-28
7 등록결정서
Decision to grant
2014.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0819414-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
모재 기판 표면에 희생층을 형성하는 희생층 형성 단계;상기 희생층 표면에 투명 전극을 형성하는 투명 전극 형성 단계;상기 투명 전극 표면에 은 나노와이어를 도포하는 은 나노와이어 코팅 단계;상기 은 나노와이어 표면에 유연 기판 소재를 코팅한 후 건조하여 유연 기판을 형성하는 유연 기판 형성 단계; 및상기 희생층을 에칭 공정을 통해 제거하는 희생층 제거 단계;를 포함하고,상기 희생층 제거 단계를 통해 상기 희생층이 제거됨으로써, 상기 유연 기판과 은 나노와이어 및 투명 전극이 상호 결합된 상태에서 상기 모재 기판과 분리되어 유연 투명 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 투명 전극 형성 단계는,상기 희생층 표면에 상기 투명 전극을 성막하는 성막 단계; 및상기 성막 단계를 통해 성막된 투명 전극에 열처리 공정을 수행하는 열처리 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 모재 기판은 고온의 열처리 공정이 가능한 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법
4 4
청구항 2에 있어서,상기 희생층은 금속 성분을 성막하는 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 희생층을 형성하는 금속은 상기 투명 전극과 반응하지 않는 금속 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 금속 물질은 은(Ag)을 포함하는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 유연 기판 소재는 수지액 형태로 상기 투명 전극에 코팅되며, CPI, PET, PEN, PES, PC, PI 중 어느 하나의 고분자 물질로 적용되는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법
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청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,상기 희생층 제거 단계는상기 모재 기판에 상기 희생층, 투명 전극 및 유연 기판이 형성된 상태에서 상기 모재 기판을 별도의 에칭 용액에 함침시켜 상기 희생층을 제거하는 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법
9 9
청구항 8에 있어서,상기 희생층은 은(Ag)을 포함하는 금속층으로 형성되고, 상기 에칭 용액은 상기 금속층을 에칭할 수 있는 요오드 용액으로 적용되는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법
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청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극
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패밀리정보가 없습니다
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