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모재 기판 표면에 희생층을 형성하는 희생층 형성 단계;상기 희생층 표면에 투명 전극을 형성하는 투명 전극 형성 단계;상기 투명 전극 표면에 은 나노와이어를 도포하는 은 나노와이어 코팅 단계;상기 은 나노와이어 표면에 유연 기판 소재를 코팅한 후 건조하여 유연 기판을 형성하는 유연 기판 형성 단계; 및상기 희생층을 에칭 공정을 통해 제거하는 희생층 제거 단계;를 포함하고,상기 희생층 제거 단계를 통해 상기 희생층이 제거됨으로써, 상기 유연 기판과 은 나노와이어 및 투명 전극이 상호 결합된 상태에서 상기 모재 기판과 분리되어 유연 투명 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 투명 전극 형성 단계는,상기 희생층 표면에 상기 투명 전극을 성막하는 성막 단계; 및상기 성막 단계를 통해 성막된 투명 전극에 열처리 공정을 수행하는 열처리 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 모재 기판은 고온의 열처리 공정이 가능한 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 희생층은 금속 성분을 성막하는 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 희생층을 형성하는 금속은 상기 투명 전극과 반응하지 않는 금속 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 금속 물질은 은(Ag)을 포함하는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법
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7
청구항 1에 있어서,상기 유연 기판 소재는 수지액 형태로 상기 투명 전극에 코팅되며, CPI, PET, PEN, PES, PC, PI 중 어느 하나의 고분자 물질로 적용되는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법
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8
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,상기 희생층 제거 단계는상기 모재 기판에 상기 희생층, 투명 전극 및 유연 기판이 형성된 상태에서 상기 모재 기판을 별도의 에칭 용액에 함침시켜 상기 희생층을 제거하는 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법
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9
청구항 8에 있어서,상기 희생층은 은(Ag)을 포함하는 금속층으로 형성되고, 상기 에칭 용액은 상기 금속층을 에칭할 수 있는 요오드 용액으로 적용되는 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극 제조방법
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10
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 은 나노와이어가 매립된 고품위 유연 투명 전극
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