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CuS와 M의 결합에 Ga이 추가적으로 결합되어 있되, 상기 M는 SnO, ITO, IZTO, IGZO, 및 IZO에서 선택되는 1종 이상의 화합물인 p형 산화물 반도체
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청구항 1에 있어서, 산화물 반도체는 비정질인 것임을 특징으로 하는 p형 산화물 반도체
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청구항 1에 있어서, Ga은 전체 조성 대비, 10 내지 60 mole% 범위 이내인 것임을 특징으로 하는 p형 산화물 반도체
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4
청구항 1에 있어서, 하기 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3에서 선택되는 1종 이상으로 표현되는 것인 p형 산화물 반도체
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5
Cu, S, M, 및 Ga이 포함된 전구체 용액을 제조하는 단계(여기서, M은, SnO, ITO, IZTO, IGZO, 및 IZO에서 선택되는 1종 이상의 화합물이다);상기 전구체 용액을 기판 상에 도포하는 단계; 및상기 도포된 전구체 용액을 열처리하는 단계를 순차적으로 포함하는 p형 산화물 반도체의 제조방법
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6
청구항 5에 있어서, 상기 전구체 용액은, [CuTu3]Cl를 포함하는 것임을 특징으로 하는 p형 산화물 반도체의 제조방법
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7
청구항 5에 있어서, 상기 전구체 용액은, 티오 요소(Thiourea)를 포함하는 것임을 특징으로 하는 p형 산화물 반도체의 제조방법
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8
청구항 5에 있어서, Ga은 전체 조성 대비, 10 내지 60 mole% 범위 이내인 것임을 특징으로 하는 p형 산화물 반도체의 제조방법
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9
청구항 5에 있어서, 상기 기판 상의 도포단계는 잉크젯 프린팅 공정에 의한 것임을 특징으로 하는 p형 산화물 반도체의 제조방법
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10
게이트 전극, 게이트 절연막, 활성층, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하고,상기 활성층이 청구항 1 내지 4에서 선택되는 어느 한 청구항의 p형 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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11
청구항 10에 있어서, 상기 게이트 절연막은, SiO2, Al2O3, 또는 이들의 조합인 산화물 절연 물질인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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12
청구항 10에 있어서, 상기 게이트 전극은, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 조합인 금속인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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13
청구항 10에 있어서, 상기 활성층은, 위에 보호막층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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14
스퍼터링에 의하여 증착된 산화물 반도체 박막에 있어서, 사용되는 스퍼터 타겟이 Cu, S, Ga, 및 Sn을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막
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15
청구항 14에 있어서, O를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막
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