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반도체 소자의 게이트 형성 방법 및 그 게이트 구조
- 기술번호 : KST2015169001
- 담당센터 : 대구기술혁신센터
- 전화번호 : 053-550-1450
| 요약 | 본 발명은 반도체 소자의 T-게이트를 형성한다는 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 게이트 머리 부분보다 상대적으로 폭이 좁은 게이트 발이 직선 형태로 형성되는 T-게이트를 형성하는 종래 방법과는 달리, 반도체 기판 상에 각기 다른 전자빔 감도를 갖는 제 1 레지스트, 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트를 도포하고, 제 1 레지스트, 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트가 도포된 반도체 기판 상에 전자빔을 이용한 제 1 노광 공정을 수행한 후 제 3 레지스트를 선택적으로 현상하며, 제 3 레지스트가 선택 현상된 폭보다 상대적으로 넓은 영역의 제 2 레지스트를 선택 현상하여 게이트 머리 영역을 정의하고, 제 3 레지스트 및 제 2 레지스트가 각각 선택 현상된 반도체 기판 상에 전자빔을 이용한 제 2 노광 공정을 수행한 후 제 1 레지스트를 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트의 현상보다 상대적으로 저온에서 굴곡진 형태로 선택 현상하며, 선택 현상된 제 1 레지스트, 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트에 따라 금속 물질을 증착한 후 제 1 레지스트, 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트를 제거하여 게이트 머리 및 게이트 발을 갖는 T-게이트를 형성함으로써, 전자빔을 이용한 제 1 및 제 2 노광 공정과 각기 다른 용액 및 온도에서의 현상을 통해 굴곡진 형태의 게이트 발을 갖는 안정적인 T-게이트를 형성할 수 있는 것이다.T-게이트, 전자빔, 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT : High Electron Mobility Transistor) |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01) |
| CPC | H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01) H01L 21/28114(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020060108497 (2006.11.03) |
| 출원인 | 학교법인 포항공과대학교, 포항공과대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-0795242-0000 (2008.01.09) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20080115) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2006.11.03) |
| 심사청구항수 | 19 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 학교법인 포항공과대학교 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 2 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 정윤하 | 대한민국 | 경북 포항시 남구 |
| 2 | 이강승 | 대한민국 | 경북 포항시 남구 |
| 3 | 김영수 | 대한민국 | 경북 포항시 남구 |
| 4 | 홍윤기 | 대한민국 | 경북 포항시 남구 |
| 5 | 정성우 | 대한민국 | 경북 포항시 남구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 장성구 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유)) |
| 2 | 김원준 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유)) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 경상북도 포항시 남구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.11.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0808034-81 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2007.06.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2007.07.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0040180-24 |
| 4 | 등록결정서 Decision to grant |
2007.10.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0544429-78 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2007.12.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2007-5195152-79 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.07.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5149263-30 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 상대적으로 폭이 넓은 게이트 머리 및 상대적으로 폭이 좁은 게이트 발을 갖는 반도체 소자의 게이트를 형성하는 방법으로서,반도체 기판 상에 각기 다른 전자빔 감도를 갖는 제 1 레지스트, 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트를 도포하는 제 1 단계와,상기 제 1 레지스트, 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트가 도포된 반도체 기판 상에 전자빔을 이용한 제 1 노광 공정을 수행한 후 상기 제 3 레지스트를 선택적으로 현상하는 제 2 단계와,상기 제 3 레지스트가 선택 현상된 폭보다 상대적으로 넓은 영역의 상기 제 2 레지스트를 선택 현상하여 게이트 머리 영역을 정의하는 제 3 단계와,상기 제 3 레지스트 및 제 2 레지스트가 각각 선택 현상된 반도체 기판 상에 전자빔을 이용한 제 2 노광 공정을 수행한 후 상기 제 1 레지스트를 상기 제 2 단계 및 제 3 단계의 현상보다 상대적으로 저온에서 굴곡진 형태로 선택 현상하는 제 4 단계와,상기 선택 현상된 제 1 레지스트, 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트에 따라 금속 물질을 증착한 후 상기 제 1 레지스트, 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트를 제거하여 상기 게이트 머리 및 게이트 발을 갖는 T-게이트를 형성하는 제 5 단계를 포함하는 반도체 소자의 게이트 형성 방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 제 1 레지스트는, PMMA(polymethyle methacrylate) 레지스트를 이용하여 90 nm - 110 nm의 두께로 도포되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 형성 방법 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 제 2 레지스트는, PMGI(poly-dimethylgutarimide) 레지스트를 이용하여 450 nm - 550 nm의 두께로 도포되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 형성 방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 제 3 레지스트는, PMMA-MAA(polymethyle methacrylate-methyle methacrylate) 레지스트를 이용하여 180 nm - 220 nm의 두께로 도포되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 형성 방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 제 1 노광 공정은, 90 μC/㎠ - 100 μC/㎠의 에너지 세기로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 형성 방법 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 제 2 단계에서의 현상은, MIBK:IPA의 비율을 1:3으로 하는 현상 용액을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 형성 방법 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 제 3 단계에서의 현상은, PMGI-101의 현상 용액을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 형성 방법 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 제 2 노광 공정은, 1000 μC/㎠ - 4000 μC/㎠의 에너지 세기로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 형성 방법 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서,상기 제 4 단계에서의 현상은, MIBK:IPA의 비율을 1:3으로 하는 현상 용액을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 형성 방법 |
| 10 |
10 제 9 항에 있어서,상기 제 4 단계에서의 현상은, (-15) ℃ - (-25) ℃의 온도 조건에서 저온으로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 형성 방법 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서,상기 제 4 단계에서의 굴곡진 형태는, 그 단면이 밑면이 없는 사다리꼴 모양으로 이어진 지그재그(zigzag) 형태인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 형성 방법 |
| 12 |
12 제 1 항에 있어서,상기 제 4 단계에서의 굴곡진 형태는, 그 단면이 다수의 꺽쇠 모양으로 이어진 지그재그 형태인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 형성 방법 |
| 13 |
13 제 1 항에 있어서,상기 제 4 단계에서의 굴곡진 형태는, 그 단면이 반원 모양으로 이어진 지그재그 형태인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 형성 방법 |
| 14 |
14 제 1 항에 있어서,상기 금속 물질은, Ti, Pt 및 Au를 이용하여 순차 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 형성 방법 |
| 15 |
15 제 14 항에 있어서,상기 금속 물질 각각은, Ti가 25 nm - 35 nm의 두께, Pt가 10 nm - 20 nm의 두께, Au가 230 nm - 270 nm의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 형성 방법 |
| 16 |
16 반도체 소자의 트랜지스터를 형성하는 게이트 구조로서,반도체 기판 상에 상대적으로 폭이 좁게 형성되는 게이트 발과, 상기 게이트 발 위에 형성되며, 상기 게이트 발보다 상대적으로 폭이 넓게 형성되는 게이트 머리를 포함하며,상기 게이트 발은, 상부에서 본 그 단면이 굴곡진 형태인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 구조 |
| 17 |
17 제 16 항에 있어서,상기 굴곡진 형태는, 그 단면이 밑면이 없는 사다리꼴 모양으로 이어진 지그재그(zigzag) 형태인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 구조 |
| 18 |
18 제 16 항에 있어서,상기 굴곡진 형태는, 그 단면이 꺽쇠 모양으로 이어진 지그재그 형태인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 구조 |
| 19 |
19 제 16 항에 있어서,상기 굴곡진 형태는, 그 단면이 반원 모양으로 이어진 지그재그 형태인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 구조 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP04838171 | JP | 일본 | FAMILY |
| 2 | JP20118087 | JP | 일본 | FAMILY |
| 3 | US07932540 | US | 미국 | FAMILY |
| 4 | US20080108188 | US | 미국 | FAMILY |
| 5 | US20110165766 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP2008118087 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 2 | JP4838171 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 3 | US2008108188 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 4 | US2011165766 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 5 | US7932540 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0795242-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20061103 출원 번호 : 1020060108497 공고 연월일 : 20080115 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20071011 청구범위의 항수 : 19 유별 : H01L 21/336 발명의 명칭 : 반도체 소자의 게이트 형성 방법 및 그 게이트 구조 존속기간(예정)만료일 : 20160110 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구... |
| 1 |
(권리자) 학교법인 포항공과대학교 경북 포항시 남구... |
| 2 |
(권리자) 주식회사 파워솔루션 경상북도 포항시 남구... |
| 2 |
(의무자) 학교법인 포항공과대학교 경북 포항시 남구... |
| 2 |
(의무자) 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구... |
| 3 |
(권리자) 기술신용보증기금(소관점:대구기술평가센터) 부산광역시 남구... |
| 3 |
(의무자) 주식회사 파워솔루션 경상북도 포항시 남구... |
| 4 |
(의무자) 주식회사 파워솔루션 경상북도 포항시 남구... |
| 4 |
(권리자) 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 553,500 원 | 2008년 01월 09일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 687,000 원 | 2011년 07월 08일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 458,000 원 | 2012년 01월 09일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 458,000 원 | 2013년 01월 09일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 822,000 원 | 2013년 12월 31일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 822,000 원 | 2014년 12월 30일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2006.11.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0808034-81 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2007.06.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2007.07.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0040180-24 |
| 4 | 등록결정서 | 2007.10.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0544429-78 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2007.12.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2007-5195152-79 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.07.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5149263-30 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345071019 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A1609 |
| 연구과제명 | 미래정보기술사업단 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1410040316 |
|---|---|
| 세부과제번호 | itep2004-아-01 |
| 연구과제명 | 나노기술집적센터(나노소재-재료분야) |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교 |
| 성과제출연도 | 2004 |
| 연구기간 | 200408~200907 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1415073617 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2300050007000013000002 |
| 연구과제명 | 기능성나노전자소자및회로응용기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교 |
| 성과제출연도 | 2001 |
| 연구기간 | 200110~200407 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
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