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자기 정렬된 듀얼게이트 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2015160922
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 게이트 절연막을 사이에 두고 컨트롤 게이트를 중심으로 양쪽에 자기 정렬된 두 개의 측벽 게이트로 구성되는 듀얼게이트 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 컨트롤 게이트와 듀얼게이트, 듀얼게이트와 소스/드레인 영역을 자기 정열로 형성함으로써, 종래 듀얼게이트 단전자 트랜지스터가 가지고 있던 비 이상적인 전기적 특성의 문제점을 근본적으로 해결하였고, 아울러 양자점의 커패시턴스를 줄임으로써, 상온에서도 단전자 트랜지스터의 동작 특성이 나오는 소자를 구현하였으며, 나아가, 통상의 MOSFET 공정과 호환성을 높여, MOSFET을 동시 집적 가능하게 한 효과가 있다.자기 정렬, 듀얼게이트, 단전자 트랜지스터, SET |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/775 (2006.01) |
| CPC | H01L 29/7613(2013.01) H01L 29/7613(2013.01) H01L 29/7613(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020060135357 (2006.12.27) |
| 출원인 | 재단법인서울대학교산학협력재단 |
| 등록번호/일자 | 10-0800507-0000 (2008.01.28) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20080204) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2006.12.27) |
| 심사청구항수 | 12 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박병국 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 2 | 강상우 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 권오준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠*차 ****호 (역삼동)(소중한특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인 서울대학교산학협력재단 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.12.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0971807-46 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2007.08.03 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2007.09.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0056988-16 |
| 4 | 등록결정서 Decision to grant |
2007.11.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0614043-23 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 반도체 기판에 채널 영역을 사이에 두고 일정 거리 이격되어 형성된 소스 및 드레인 영역과;상기 채널 영역 상에 형성된 컨트롤 게이트와;상기 컨트롤 게이트를 감싸며 상기 채널 영역 상부에 형성된 게이트 절연막과;상기 게이트 절연막 상부에 상기 컨트롤 게이트를 중심으로 양측에 자기 정렬되어 형성된 두 개의 측벽 게이트를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 자기 정렬된 듀얼게이트 단전자 트랜지스터 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 소스 및 드레인 영역은 상기 각 측벽 게이트에 자기 정렬되어 형성된 것을 특징으로 하는 자기 정렬된 듀얼게이트 단전자 트랜지스터 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서,상기 소스 및 드레인 영역 상에 상기 각 측벽 게이트를 따라 형성된 절연막 측벽 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 정렬된 듀얼게이트 단전자 트랜지스터 |
| 4 |
4 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 기판은 SOI 기판이고,상기 소스/드레인 영역 및 채널 영역은 상기 SOI 기판의 단결정실리콘층에 형성된 것을 특징으로 하는 자기 정렬된 듀얼게이트 단전자 트랜지스터 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서,상기 컨트롤 게이트 및 상기 두 개의 측벽 게이트는 비정질실리콘, 폴리실리콘 및 금속 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 자기 정렬된 듀얼게이트 단전자 트랜지스터 |
| 6 |
6 제 4 항에 있어서,상기 두 개의 측벽 게이트는 고정 전하를 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 자기 정렬된 듀얼게이트 단전자 트랜지스터 |
| 7 |
7 소정의 반도체 기판에 액티브 영역을 정의하고 상기 액티브 영역 상부에 제 1 절연막을 형성하는 제 1 단계와;상기 제 1 절연막 상부에 컨트롤 게이트 물질을 증착하는 제 2 단계와;상기 컨트롤 게이트 물질 및 상기 제 1 절연막을 식각하여 컨트롤 게이트를 패터닝하는 제 3 단계와;상기 액티브 영역 상부 및 상기 컨트롤 게이트 상부에 제 2 절연막을 형성하는 제 4 단계와;상기 제 2 절연막 상부에 측벽 게이트 물질을 증착하고 식각하여 상기 컨트롤 게이트를 중심으로 양측에 두 개의 측벽 게이트를 형성하는 제 5 단계와;상기 구조 전면에 불순물 이온주입공정으로 소스/드레인 영역을 형성하는 제 6 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 자기 정렬된 듀얼게이트 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서,상기 제 1 단계 이전에 희생 산화막을 형성한 후 채널 도핑을 더 실시한 것을 특징으로 하는 자기 정렬된 듀얼게이트 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 9 |
9 제 7 항에 있어서,상기 제 5 단계와 상기 제 6 단계 사이에 상기 제 2 절연막 상부에 제 3 절연막을 증착하고 식각하여 상기 각 측벽 게이트를 따라 절연막 측벽 스페이서를 형성하는 단계가 더 포함된 것을 특징으로 하는 자기 정렬된 듀얼게이트 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 10 |
10 제 9 항에 있어서,상기 제 2 단계와 상기 제 3 단계 사이에 제 4 절연막 및 상기 컨트롤 게이트 물질을 각각 소정의 두께로 순차적으로 적층하는 단계가 더 포함되고,상기 제 3 단계의 컨트롤 게이트의 패터닝은 전자-빔(e-beam) 사진공정에 의한 것을 특징으로 하는 자기 정렬된 듀얼게이트 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 11 |
11 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 4 단계의 제 2 절연막 형성은 열 산화공정에 의하여 제 3 단계에서 패터닝된 컨트롤 게이트가 일정부분 잠식되어 형성된 것을 특징으로 하는 자기 정렬된 듀얼게이트 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 12 |
12 제 11 항에 있어서,상기 제 6 단계 다음에 상기 소스 및 드레인 영역이 상기 각 측벽 게이트 끝단과 자기 정렬되도록 어닐링 공정이 더 포함된 것을 특징으로 하는 자기 정렬된 듀얼게이트 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0800507-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20061227 출원 번호 : 1020060135357 공고 연월일 : 20080204 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20071119 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 29/775 발명의 명칭 : 자기 정렬된 듀얼게이트 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 재단법인 서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 364,500 원 | 2008년 01월 28일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2011년 01월 04일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 456,000 원 | 2012년 07월 31일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2013년 01월 28일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 556,000 원 | 2014년 01월 09일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 556,000 원 | 2015년 01월 20일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 556,000 원 | 2015년 12월 24일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 900,000 원 | 2016년 12월 27일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 900,000 원 | 2017년 12월 21일 | 납입 |
| 제 12 년분 | 금 액 | 900,000 원 | 2019년 08월 28일 | 납입 |
| 제 13 년분 | 금 액 | 510,000 원 | 2020년 01월 02일 | 납입 |
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- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2006.12.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0971807-46 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2007.08.03 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2007.09.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0056988-16 |
| 4 | 등록결정서 | 2007.11.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0614043-23 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345071105 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과06A1604 |
| 연구과제명 | 정보기술사업단 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415073617 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2300050007000013000002 |
| 연구과제명 | 기능성나노전자소자및회로응용기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교 |
| 성과제출연도 | 2001 |
| 연구기간 | 200110~200407 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
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