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웨이퍼의 본딩 방법 및 그 방법에 의해 제조된 전자소자

  • 기술번호 : KST2015170277
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 사파이어(Al2O3) 위에 성장한 GaN계 반도체 기판 및 강철 기판 각각에 금속접합층을 증착하는 단계 및 상기 두 금속접합층을 마주 보도록 배치한 후 온도와 압력을 가하여 상기 Al2O3/GaN/강철기판의 휘어짐(1/R) 절대값이 0.5x10-6/m 내지 1.5x10-6/m가 되도록 접합하는 단계를 포함하는 웨이퍼의 본딩 방법, 그리고 상기 방법에 의하여 제조된 전자소자가 제공된다.본 발명에 따르면, 웨이퍼 본딩 이후 휘어짐 현상을 감소시킬 수 있게 되어, 후속 공정을 진행하기 용이하고, 시장 경제성을 확보할 수 있으며, 소자의 수명 증가 및 소비 전력 감소에 기여할 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/187(2013.01)
출원번호/일자 1020110130328 (2011.12.07)
출원인 주식회사 포스코, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1262608-0000 (2013.05.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130508) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.07)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 송양희 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
2 주식회사 포스코 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0972337-29
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0026933-76
4 등록결정서
Decision to grant		 2013.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0264784-78
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077322-80
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200802-82
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-5204006-48
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
사파이어(Al2O3) 위에 성장한 GaN계 반도체 기판 및 강철 기판 각각에 금속접합층을 증착하는 단계; 및 상기 두 금속접합층을 마주 보도록 배치한 후 온도와 압력을 가하여 상기 Al2O3/GaN/강철기판의 휘어짐(1/R) 절대값이 0
2 2
제 1항에 있어서,상기 접합하는 단계는 100℃ 내지 250℃의 온도에서 진행하는 것인, 웨이퍼의 본딩 방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 금속접합층 물질의 유텍틱 녹는점이 100℃ 내지 250℃인, 웨이퍼의 본딩 방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 강철기판은 인바(Invar) 합금, 스테인리스 강, 아연도금 강판, 주석도금 강판, 또는 특수합금 강판인 것인, 웨이퍼의 본딩 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 강철기판의 열전도가 14
6 6
제 1항 내지 제 5항의 어느 한 항의 방법에 의하여 제조된 전자소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.