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아연산화물 반도체 및 이를 제조하기 위한 방법

  • 기술번호 : KST2014009796
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 아연산화물 반도체를 형성하기 위한 방법 및 이에 따라 제조되는 아연산화물 반도체가 개시된다. n형의 전기적 특성을 가지는 아연산화물 박막 상에 금속 촉매층을 도입하고, 이를 열처리하여 p형의 전기적 특성을 가지는 아연산화물 박막으로 개질한다. 열처리 과정을 통해 아연산화물 박막 내에 존재하는 수소 원자는 금속 촉매에 의해 제거된다. 따라서, 금속 촉매 및 열처리에 의해 박막 내의 수소 원자는 제거되고, 캐리어인 정공의 농도는 증가한다. 즉, n형의 아연산화물 박막은 고농도의 p형 아연산화물 반도체로 개질된다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/18 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070063270 (2007.06.26)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0884883-0000 (2009.02.13)
공개번호/일자 10-2008-0114068 (2008.12.31) 문서열기
공고번호/일자 (20090223) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.26)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주광역시 북구
2 오민석 대한민국 광주광역시 북구
3 황대규 대한민국 광주광역시 북구
4 권민기 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0465754-79
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.05.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.05.30 수리 (Accepted) 9-1-2008-0032428-54
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0496957-37
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0815598-42
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0815624-42
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0891451-11
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0891482-15
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0035163-03
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 1족 원소 또는 5족 원소가 포함되고, 전기적으로 부도체이거나 n형의 전기적 특성을 가지는 아연산화물 박막을 형성하는 단계;상기 아연산화물 박막 상에 금속 촉매층을 형성하는 단계; 및상기 금속 촉매층이 형성된 기판을 400℃ 내지 800℃에서 열처리하여 상기 아연산화물 박막을 p형의 전기적 특성을 가지는 아연산화물 반도체로 전환시키는 단계를 포함하는 p형 아연산화물 반도체 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속 촉매층은 Ni, Au, Pt, Pb, Mg, Cu, Zn, Ag, Sc, Co, Rh, Li, Be, Ca, Ru, Ti, Ta, Na 및 La 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 또는 이들의 합금을 가지는 것을 특징으로 하는 p형 아연산화물 반도체 형성방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 열처리는 1초 내지 30분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 p형 아연산화물 반도체 형성방법
4 4
삭제
5 5
제3항에 있어서, 상기 열처리는 질소, 산소, 공기 및 불활성 기체 중 적어도 하나를 포함하는 기체 분위기의 챔버 내에서 진행하는 것을 특징으로 하는 p형 아연산화물 반도체 형성방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP21010383 JP 일본 FAMILY
2 US07842539 US 미국 FAMILY
3 US20090001363 US 미국 FAMILY

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1 JP2009010383 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2009001363 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US7842539 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.