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양자점 및 전도성 고분자를 지지하는 기판층; 상기 기판층 위에 형성되는 애노드 전극층; 상기 애노드 전극 위에 형성되어 적색, 녹색, 청색을 발하는 반도체 양자점들을 포함하는 액티브층; 상기 액티브층 위에 형성되는 캐소드 전극; 및 상기 액티브층의 상,하면에 형성되어 상기 액티브층으로의 전하수송을 촉진시키는 매트릭스층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치
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제1항에 있어서, 상기 기판층은 유리, ITO 또는 ZnO으로 구성되는 밴드갭이 큰 물질로 가시광영역에서 투명한 물질인 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치
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제2항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스층은 PPV(P-Paraphenylene Vinylene)로 구성되는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치
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제1항에 있어서, 상기 액티브층은 셀렌화카드뮴 양자점를 코어로 하고 상기 코어 주위를 황화아연이 둘러싸는 코어/쉘 구조의 양자점들이 고착되는 양자점막 구조인 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치
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제1항에 있어서, 상기 전극들은 ITO, ZnO, Al, Ca, Sc, Eu, Ni, Pt, Au, Mg 중 선택되거나 또는 어느 하나 물질 이상이 Ag에 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치
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기판층 위에 애노드 전극을 형성하는 단계; 상기 애노드 전극 위에 고분자 전하수송층을 형성하는 단계; 상기 전하수송층 위에 적색, 녹색 그리고 청색을 발하는 양자점들을 포함하는 액티브층을 형성하는 단계; 및 상기 액티브층 위에 캐소드 전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 액티브층을 형성하는 단계는 셀렌화카드뮴 양자점을 코어로 하고 상기 코어 주위를 황화아연이 둘러싸는 코어/쉘 구조의 양자점들이 고착되는 양자점막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 양자점막을 형성하는 단계는 트라이옥틸포스핀옥사이드를 건조시키는 (i)단계; 상기 건조된 트라이옥틸포스핀옥사이드를 질소 가스와 아르곤 가스 분위기 하에서 가열하는 (ii)단계; 트리옥틸포스핀셀레니움과 디메틸카드뮴을 혼합하는 (iii)단계; 상기 (iii)단계의 혼합물을 상기 (ii)단계의 결과물을 고온 용매로 사용하여 이 반응 용매내에서 반응시켜 상기 상기 셀렌화카드뮴 양자점을 반응 용기내에 성장시키는 (iv)단계; 상기 셀렌화카드뮴 양자점을 헥사메틸디실라싸이엔과 디에틸아연과 반응시켜 상기 코어/쉘 구조의 제1 양자점을 형성하는 (v)단계; 및 상기 코어/쉘 구조의 제1 양자점들을 잘 혼합한 후, 헥산에 용해시켜 상기 제1 양자점들을 분산하여 상기 제1 양자점막을 형성하는 (vi)단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 트리옥틸포스핀셀레니움은 트리옥틸포스핀과 셀레디움을 반응시켜 만들어지는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 트리옥틸포스핀셀레니움은 상기 트리옥틸포스핀 10㎖과 상기 셀레니움 0
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제10항에 있어서, 상기 (i)단계는 상기 트라이옥틸포스핀옥사이드를 기압 1 토르(torr)와 온도 200℃ 조건에서 20분간 건조시키는 단계인 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 (ii)단계는 1 기압(atm)의 상기 질소 가스와 상기 아르곤(Ar) 가스 분위기 하에서 310℃로 가열하는 단계인 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 (iii)단계는 상기 트리옥틸포스핀셀레니움 1㎖와 상기 디메틸카드뮴(Me2Cd) 82㎕를 혼합하는 단계인 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 (iv)단계는 성장시에는 반응용기(200)의 온도를 230℃ 내지는 260℃로 유지하며, 성장 시간과 반응 용기의 온도 조절을 통하여 원하는 크기로 셀렌화카드뮴 양자점을 성장하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치의 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 성장된 셀렌화카드뮴양자점은 그 크기가 55~65Å은 적색, 크기가 40~50Å은 녹색, 크기가 25~35Å은 청색을 발하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 (v)단계는 상기 헥사메틸디실라싸이엔 0
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제10항에 있어서, 상기 (v)단계에서 성장되는 코어/쉘 구조의 양자점은 그 크기가 55~65Å은 적색, 크기가 40~50Å은 녹색, 크기가 25~35Å은 청색을 발하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스층은 SPS(sulfonated polystyrene)로 구성되는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치
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제2항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스층은 PMA(polymethacrylic acid)로 구성되는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치
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제2항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스층은 TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine)로 구성되는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치
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제4항에 있어서, 상기 양자점막 구조는 적색, 녹색, 청색을 발하는 양자점들을 함께 섞어 형성된 단층막 구조인 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치
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제4항에 있어서, 상기 양자점막 구조는 적색 양자점막과 ,녹색 양자점막 및 청색 양자점막을 적층하여 형성된 다층막 구조인 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치
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제8항에 있어서, 상기 양자점막의 형성은 적색, 녹색, 청색을 발하는 양자점들을 함께 섞어 단층막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 양자점막의 형성은 적색 양자점막과, 녹색 양자점막 및 청색 양자점막을 적층하여 다층막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 장치의 제조방법
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