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실리콘 웨이퍼의 뒷면에 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막이 형성된 실리콘 웨이퍼의 기공을 형성하는 단계; 상기 기공이 형성된 실리콘 웨이퍼의 앞면에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴이 형성된 결과물 전면에 금속촉매층을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 제거하여 상기 감광막 패턴이 형성되지 않은 부분에만 상기 금속촉매층을 잔류시키는 단계; 및 상기 잔류 금속촉매층 상에 수직으로 탄소나노튜브를 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법
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제1항에 있어서, 제1항에 있어서, 상기 금속막이 알루미늄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기공 형성단계가 전기화학적 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 전기화학적 방법이, 에탄올과 HF의 혼합전해질 수용액에 상기 금속막이 형성된 실리콘 웨이퍼와 백금전극을 각각 침적한 후에, 상기 금속막이 상기 백금전극보다 상대적으로 높은 전위를 갖도록 상기 금속막과 백금전극에 전압을 인가하여 행해지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 HF와 상기 에탄올의 혼합 부피비가 1:1 내지 3:1의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 금속막과 백금전극에 가해지는 전압에 의하여 상기 금속막과 백금전극 사이에서 흐르는 전류는 그 전류밀도가 2~80mA/cm2의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 금속막과 백금전극에 가해지는 전압이 1 내지 10분 동안 인가되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기공이 균일하게 분포되고 그 각각의 크기가 10Å 내지 5000Å 인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속촉매층이 레이저 용발 기술 또는 RF 마그네트론 스퍼터링 증착 기술로 증착되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속촉매층이 Co, Fe, Ni, 및 Cr으로 이루어진 금속군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속촉매층을 잔류시키는 단계 이후에 상기 금속촉매층이 잔류된 실리콘 웨이퍼를 암모니아 기체 분위기에 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 암모니아 기체 분위기에 노출시키는 단계가 600 내지 900도의 온도 범위에서 행해지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브를 형성하는 단계가 상기 금속촉매층이 잔류된 실리콘 웨이퍼를 탄화수소 기체 분위기에 노출시키고 상기 탄화수소 기체를 열분해하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 제조방법
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