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전자현미경을 이용한 나노구조 분석 방법

  • 기술번호 : KST2015174325
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자현미경을 이용한 나노 분석 방법에 관한 것이다. 본 발명의 은 시편 지지 부재 상에 나노구조를 직접 성장시키고, 그를 전자현미경에 마운트하여 분석한다. 투과전자현미경에 있어서, 금속 시편 그리드가 시편 그리드로서 이용될 경우 층간 반응을 방지하기 위해 확산 방지막으로서 절연층을 형성할 수 있다. 이러한 구성에 의해, 별도의 기판에서 나노구조를 성장시킨 후 그를 채취하는 과정에서 야기될 수 있는 나노구조의 손상이나 오염이 발생되지 않는다. 결과적으로 공정이 단순화되면서도 더 정확한 분석이 이루어질 수 있다.나노선, 시편 지지 부재, 금속 시편 그리드, 투과전자현미경, 주사전자현미경
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01J 37/26 (2011.01)
CPC H01J 37/26(2013.01) H01J 37/26(2013.01) H01J 37/26(2013.01) H01J 37/26(2013.01) H01J 37/26(2013.01)
출원번호/일자 1020060125285 (2006.12.11)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0053571 (2008.06.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.11)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 맹종선 대한민국 광주광역시 북구
2 김태욱 대한민국 광주광역시 북구
3 조건호 대한민국 광주광역시 북구
4 이탁희 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김상철 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)(특허법인이상)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2006-0913734-63
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.11.16 수리 (Accepted) 9-1-2007-0070392-44
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0691839-98
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.02.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0128017-12
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0128018-68
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0349346-47
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0498721-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전자현미경을 이용한 나노구조 분석 방법으로서,시편 지지 부재 및/또는 상기 시편 지지 부재 상에 형성된 임의의 상부층 상에 직접 나노구조를 성장시키는 단계; 및상기 시편 지지 부재 및/또는 상기 시편 지지 부재 상에 형성된 나노구조를 분석하는 단계를 포함하는 전자현미경을 이용한 나노구조 분석 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 전자현미경은 투과전자현미경이고, 상기 시편 지지부재는 시편 그리드인 전자현미경을 이용한 나노구조 분석 방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 시편 그리드는 나노구조의 성장 온도보다 높은 융점을 갖는 금속인 전자현미경을 이용한 나노구조 분석 방법
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 나노구조를 성장시키는 단계는:상기 시편 그리드와 상기 형성되는 나노구조 간의 반응을 방지하기 위해, 상기 나노구조의 성장 전에 상기 시편 그리드 상에 절연층을 형성하는 서브단계를 포함하는 전자현미경을 이용한 나노구조 분석 방법
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 나노구조를 성장시키는 단계는,상기 절연층 상에 금속 촉매 입자를 형성하는 서브단계를 포함하는 전자현미경을 이용한 나노구조 분석 방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 시편 그리드는 내열 산화물인 전자현미경을 이용한 나노구조 분석 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.