요약 | 본 발명은 PVC/폴리스티렌 양이온교환막의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기존의 페이스트법을 개선한 것으로 스티렌 단독 혹은 스티렌과 디비닐벤젠 모노머가 포함된 중합용 용액에 비다공성 폴리비닐클로라이드(PVC) 필름을 침적 및 팽윤하여 소정 온도에서 공중합시킨 후 설폰화 반응을 수행하여 양이온교환기로 강산성의 설폰산 그룹(-SO3-)을 도입시키는 비교적 간단한 제조공정을 수행하므로써 페이스트법으로 제조되어 상용되고 있는 양이온교환막과 대등한 전기적 특성 및 기계적 특성을 가지는 양이온교환막을 제조하는 방법에 관한 것이다.페이스트법, 양이온교환막 |
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Int. CL | C08J 5/22 (2006.01) |
CPC | C08J 5/2231(2013.01) C08J 5/2231(2013.01) C08J 5/2231(2013.01) C08J 5/2231(2013.01) C08J 5/2231(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020010075488 (2001.11.30) |
출원인 | 광주과학기술원 |
등록번호/일자 | 10-0447949-0000 (2004.08.31) |
공개번호/일자 | 10-2003-0044651 (2003.06.09) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20040908) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2001.11.30) |
심사청구항수 | 4 |