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고분자전해질막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174859
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고분자전해질막 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 고분자전해질막은 스티렌 계열 모노머 및 비닐계 모노머를 포함하는 중합용 용액을 지지 시트에 흡수시키는 단계와, 지지 시트에 흡수된 중합용 용액에 중합 반응을 발생시켜서 고분자를 생성하여, 지지 시트와 고분자로 이루어진 유기막을 형성하는 단계와, 유기막에 무기물 전구체를 흡수시키는 단계와, 졸-겔 반응을 통하여, 무기물 전구체과 유기막의 고분자 간, 및 무기물 전구체들 간을 결합시켜서 유무기복합막을 형성하는 단계와, 술폰화반응을 통하여 유무기복합막에 술폰산 그룹을 도입하는 단계를 포함한다. 본 발명은 기본적으로 지지 시트에 모노머를 흡수시켜서 중합하는 모노머 흡수법을 이용하되, 고분자막에는 무기물이 포함된다. 포함된 무기물은 막에 대해서 현저하게 화학적 안정성을 높인다.모노머 흡수법, 졸-겔 반응, 술폰화 반응, 열 중합
Int. CL C08J 5/22 (2010.01) H01M 10/0565 (2010.01)
CPC C08J 5/2231(2013.01) C08J 5/2231(2013.01) C08J 5/2231(2013.01) C08J 5/2231(2013.01) C08J 5/2231(2013.01) C08J 5/2231(2013.01) C08J 5/2231(2013.01) C08J 5/2231(2013.01)
출원번호/일자 1020070021532 (2007.03.05)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0837071-0000 (2008.06.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.05)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문승현 대한민국 전남 장성군
2 우중제 대한민국 광주 북구
3 서석준 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김상철 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)(특허법인이상)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0181714-70
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2007.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0200585-67
3 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee		 2007.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0035050-19
4 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2007.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0373824-97
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.10.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0069816-87
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0678213-77
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0111243-37
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.02.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0111268-78
10 등록결정서
Decision to grant		 2008.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0289994-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1
스티렌 계열 모노머 및 비닐계 모노머를 포함하는 중합용 용액을 지지 시트에 흡수시키는 단계;상기 지지 시트에 흡수된 중합용 용액에 중합 반응을 발생시켜서 고분자를 생성하여 상기 지지 시트와 고분자로 이루어진 유기막을 형성하는 단계;상기 유기막에 무기물 전구체를 흡수시키는 단계;졸-겔 반응을 통하여 상기 무기물 전구체와 상기 유기막의 고분자 간, 및 상기 무기물 전구체들 간을 결합시켜서 유무기복합막을 형성하는 단계; 및술폰화반응을 통하여 상기 유무기복합막에 술폰산 그룹을 도입하는 단계를 포함하는 고분자전해질막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 무기물 전구체는 3-(메틸아민) 프로필-트리메톡시 실란, (3-아미노프로필)트리에톡시실란 또는 3-시아노프로필트리에톡시실란인 것을 특징으로 하는 고분자전해질막의 제조방법
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삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 유기막에 무기물 전구체를 흡수시키는 단계는, 상기 무기물 전구체를 유기용매에 10 내지 30%로 혼합한 용액에 상기 유기막을 침지하는 것을 특징으로 하는 고분자전해질막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 비닐계 모노머는, 4-비닐벤질클로라이드, 1-(4-클로로페닐)-3-부텐-1-올 또는 알릴 클로라이드로인 것을 특징으로 하는 고분자전해질막의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 스티렌 계열 모노머는 스티렌, 메틸-스티렌 또는 부틸-스티렌인 것을 특징으로 하는 고분자전해질막의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 지지 시트는 비다공성 PVC 필름인 것을 특징으로 하는 고분자전해질막 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.